[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201410679759.7 | 申请日： | 2014-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN104752337B | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | P·R·巴特拉;J·W·格尔兹;M·杰库斯基;桐畑外志昭 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48;H01L23/528;H01L27/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了半导体结构及其形成方法。本发明的实施例通常涉及诸如半导体晶片的电子元件，并且更具体地涉及用于使用穿硅通孔(TSV)和背面布线的布置的多个半导体晶片的双面三维(3D)分层体系结构方案。在实施例中，第一字线体系结构可以在IC芯片的正面上形成，并且通过晶片内TSV连接到在IC芯片背面上形成的第二字线体系结构，从而重新安置到IC芯片的背面的需要的布线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体结构 半导体晶片 体系结构 布线 字线 背面 分层体系结构 穿硅通孔 晶片 三维 安置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的制造方法，包括：形成从第一集成电路IC芯片的正面延伸到所述第一IC芯片的背面的一个或者多个晶片内穿过衬底的通孔TSV；在所述第一IC芯片的正面布线层中形成局部体系结构，所述局部体系结构具有电连接至所述一个或者多个晶片内TSV的一个或者多个局部特征部件；在所述第一IC芯片的背面布线层中形成全局体系结构，所述全局体系结构连接至所述一个或者多个晶片内TSV并且使所述多个局部特征部件电耦合在一起；将第一IC芯片和第二IC芯片结合，所述第二IC芯片包括正面布线层和背面布线层；在所述第一IC芯片和所述第二IC芯片结合后，形成一个或多个晶片间TSV；以及所述一个或者多个晶片间TSV延伸穿过所述第一IC芯片和所述第二IC芯片的外周的整体厚度，所述一个或者多个晶片间TSV使所述第二IC芯片的背面布线层电连接至所述第一IC芯片的背面布线层，其中在所述第一IC芯片的所述背面布线层中形成所述全局体系结构包括：形成信号全局字线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410679759.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
