[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，包括：

形成从第一集成电路IC芯片的正面延伸到所述第一IC芯片的背面的一个或者多个晶片内穿过衬底的通孔TSV；

在所述第一IC芯片的正面布线层中形成局部体系结构，所述局部体系结构具有电连接至所述一个或者多个晶片内TSV的一个或者多个局部特征部件；

在所述第一IC芯片的背面布线层中形成全局体系结构，所述全局体系结构连接至所述一个或者多个晶片内TSV并且使所述多个局部特征部件电耦合在一起；

将第一IC芯片和第二IC芯片结合，所述第二IC芯片包括正面布线层和背面布线层；

在所述第一IC芯片和所述第二IC芯片结合后，形成一个或多个晶片间TSV；以及

所述一个或者多个晶片间TSV延伸穿过所述第一IC芯片和所述第二IC芯片的外周的整体厚度，所述一个或者多个晶片间TSV使所述第二IC芯片的背面布线层电连接至所述第一IC芯片的背面布线层，

其中在所述第一IC芯片的所述背面布线层中形成所述全局体系结构包括：形成信号全局字线。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第一IC芯片的所述正面布线层中形成所述局部体系结构包括：

形成全局解码器电路；

形成局部字线驱动器电路；以及

形成连接到所述局部字线驱动器电路和存储器单元的局部字线。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第一IC芯片的所述正面布线层中形成所述局部体系结构包括：

形成连接到存储器单元的感测放大器电路。

4.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第一IC芯片的所述背面布线层中形成所述全局体系结构包括：

形成主数据线路PDL。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述全局体系结构中的单个布线的厚度是所述局部体系结构中的单个布线的厚度的8倍至10倍大，并且其中所述局部体系结构包括解码器，所述解码器使所述一个或者多个局部特征部件能够使用单个晶片内TSV连接到所述全局体系结构中的单个布线。

6.一种半导体结构的制造方法，包括：

形成从第一集成电路IC芯片的正面延伸到所述第一IC芯片的背面的一个或者多个晶片内穿过衬底的通孔TSV；

在所述第一IC芯片的正面布线层中形成局部体系结构，所述局部体系结构具有电连接至所述一个或者多个晶片内TSV的一个或者多个局部特征部件；

将第二IC芯片和所述第一IC芯片的正面布线层结合，所述第二IC芯片包括正面布线层和背面布线层；在位于所述第一IC芯片的背面布线层中形成全局体系结构，所述全局体系结构连接至所述一个或者多个晶片内TSV并且使所述多个局部特征部件电耦合在一起；

蚀刻连续通过所述第一IC芯片和所述第二IC芯片的整体厚度的一个或多个沟槽，所述一个或多个沟槽位于所述第一IC芯片和所述第二IC芯片的外周；以及

用导电材料填充所述一个或多个沟槽以形成一个或多个晶片间TSV，所述一个或者多个晶片间TSV使所述第二IC芯片的背面布线层电连接至所述第一IC芯片的背面布线层，

其中在所述第一IC芯片的所述背面布线层中形成所述全局体系结构包括：形成信号全局字线。

7.根据权利要求6所述的方法，其中在所述第一IC芯片的所述正面布线层中形成所述局部体系结构包括：

形成电力栅极开关。

8.根据权利要求6所述的方法，其中在所述第一IC芯片的所述背面布线层中形成所述全局体系结构包括：

将所述一个或者多个晶片间TSV电连接至外部电源；

形成连接到所述一个或者多个晶片间TSV的电力线路；以及

形成电力总线线路。

9.根据权利要求6所述的方法，其中在所述第一IC芯片的所述正面布线层中形成所述局部体系结构包括：

形成PDL驱动器。