[发明专利]设计基于鳍式场效应晶体管（FINFET）的电路的方法及其实施系统有效
| 申请号： | 201410677448.7 | 申请日： | 2014-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN104657537B | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 陈君胜;杨尊宇;胡伟毅;管瑞丰;杨清舜;郑仪侃 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种设计基于鳍式场效应晶体管(FinFET)的电路的方法及其实施系统。设计基于鳍式场效应晶体管(FinFET)的电路的方法，包括使用处理器，基于性能规范设计第一电路原理图设计，第一电路原理图设计不包括人工元件，人工元件用于仿真基于FinFET的电路的电性能。该方法还包括使用处理器，修改第一电路原理图设计内的至少一个器件以形成考虑人工元件的第二电路原理图设计。该方法还包括使用第二电路原理图并考虑人工元件来执行布局前仿真。该方法还包括生成布局，其中该布局不考虑人工元件；以及执行布局后仿真，布局后仿真不考虑人工元件。 | ||
| 搜索关键词： | 设计 基于 场效应 晶体管 finfet 电路 方法 及其 实施 系统 | ||
【主权项】：
一种设计基于鳍式场效应晶体管FinFET的电路的方法，所述方法包括：使用处理器，基于性能规范设计第一电路原理图设计，所述第一电路原理图设计不包括人工元件，其中，所述人工元件用于仿真所述基于FinFET的电路的电性能；使用所述处理器，修改所述第一电路原理图设计内的至少一个器件以形成考虑所述人工元件的第二电路原理图设计；使用所述第二电路原理图并考虑所述人工元件来执行布局前仿真；生成布局，所述布局不考虑所述人工元件；以及执行布局后仿真，所述布局后仿真不考虑所述人工元件。
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