[发明专利]设计基于鳍式场效应晶体管（FINFET）的电路的方法及其实施系统

权利要求书

1.一种设计基于鳍式场效应晶体管FinFET的电路的方法，所述方法包括：

使用处理器，基于性能规范设计第一电路原理图设计，所述第一电路原理图设计不包括人工元件，其中，所述人工元件用于仿真所述基于FinFET的电路的电性能；

使用所述处理器，修改所述第一电路原理图设计内的至少一个器件以形成考虑所述人工元件的第二电路原理图设计；

使用所述第二电路原理图并考虑所述人工元件来执行布局前仿真；

生成布局，所述布局不考虑所述人工元件；以及

执行布局后仿真，所述布局后仿真不考虑所述人工元件。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

执行布局与原理图LVS检查，所述LVS检查不考虑所述人工元件；以及

执行RC提取，所述RC提取不考虑所述人工元件。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

将所述布局前仿真的结果与所述性能规范进行比较；

如果所述布局前仿真的结果不满足所述性能规范，则修正所述第二电路原理图设计；以及

如果所述布局前仿真的结果满足所述性能规范，则生成所述布局。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，修改所述第一电路原理图设计包括将所述第一电路原理图设计与宏FinFET库组合，其中所述宏FinFET库包括与所述人工元件相关的信息。

5.根据权利要求1所述的方法，修改所述第一电路原理图设计包括将所述第一电路原理图设计与工艺设计工具包PDK库和宏FinFET应用程序接口API的组合进行组合，其中所述PDK包括所述第一电路原理图设计中的FinFET器件的结构，并且所述宏FinFET API包括与所述人工元件相关的信息。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括：将所述宏FinFET API中的网表程序连接到所述PDK库的网表包装中，以包括与所述人工元件相关的信息。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

对PDK库建立约束；以及

基于所述约束PDK库，在所述布局前仿真期间接收用于所述人工元件的电性能信息。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，接收所述电性能信息包括：从与宏FinFET API组合的约束API接收所述电性能信息。

9.一种设计基于鳍式场效应晶体管FinFET的电路的方法，所述方法包括：

使用处理器，基于性能规范设计第一电路原理图设计，所述第一电路原理图设计不包括人工元件，其中所述人工元件用于仿真所述基于FinFET的电路的电性能；

使用宏FinFET库修改所述第一电路原理图设计以形成包括所述人工元件的第二电路原理图设计，所述第二电路原理图设计可以在寄生模式和不同于所述寄生模式的布局模式之间切换，并且所述宏FinFET库包括与所述寄生模式相关联的第一p单元符号、与所述布局模式相关联的第二p单元符号、与所述寄生模式相关联的第一p单元原理图、与所述布局模式相关联的第二p单元原理图以及电阻电容RC等价方程式，p单元是参数单元；

使用处于所述寄生模式的所述第二电路原理图设计和所述RC等价方程式来执行布局前仿真；

使用处于所述布局模式的所述第二电路原理图设计生成布局；以及

使用处于所述布局模式的所述第二电路原理图设计来执行布局后仿真。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，执行所述布局前仿真包括使用包括所述人工元件的所述第一p单元原理图。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，修改所述第一电路原理图包括考虑所述人工元件，所述人工元件包括多晶硅氧化物扩散边缘(PODE)元件、中段制程(MEOL)连接和后段制程(BEOL)连接中的至少一种。

12.根据权利要求9所述的方法，还包括：

使用处于所述布局模式的所述第二电路原理图设计来执行布局与原理图LVS检查；以及

使用处于所述布局模式的所述第二电路原理图设计执行RC提取。