[发明专利]一种利用射频磁控溅射法制备单分散、尺寸可控纳米银颗粒的方法在审
| 申请号： | 201410674820.9 | 申请日： | 2014-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN104372301A | 公开（公告）日： | 2015-02-25 |
| 发明（设计）人： | 闫兰琴;褚卫国;宋志伟;张先锋 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋;侯潇潇 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用射频磁控溅射法制备单分散、尺寸可控纳米银颗粒的方法。本发明所述方法选择99.999％超纯银作为磁控溅射的靶材，选用玻璃或硅作为衬底，高纯氩(Ar)作为工作气体，采用射频磁控溅射的方法，在设备靶基距固定的情况下，通过调整真空度、工作气压、射频功率、衬底温度和沉积时间等工艺参数，制备出单分散、尺寸可控的纳米银颗粒。此方法纯物理方法，具有零污染、低成本、可重复操作、沉积速率小、生长过程容易精确控制等优点，制备出的纳米银颗粒均匀整齐且粒度可控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 射频 磁控溅射 法制 分散 尺寸 可控 纳米 颗粒 方法 | ||
【主权项】：
一种利用射频磁控溅射法制备单分散、尺寸可控纳米银颗粒的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)选择99.999％超纯银作为磁控溅射的靶材，将其放入磁控溅射腔室；(2)以玻璃或硅作为衬底，清洗衬底并安装在基片台上；(3)关闭溅射腔室，抽真空至1×10‑7～9×10‑7torr，以高纯氩气作为工作气体，调节气压为5～13mtorr，离子清洗衬底，打开靶材对应的射频功率源，预溅射靶材；(4)溅射沉积：调节射频功率：25～100W；工作气压：5～13mtorr；衬底温度：室温～70℃；沉积时间：35～80s进行溅射沉积，得到单分散、尺寸可控纳米银颗粒。
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