[发明专利]一种利用射频磁控溅射法制备单分散、尺寸可控纳米银颗粒的方法

权利要求书

1.一种利用射频磁控溅射法制备单分散、尺寸可控纳米银颗粒的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)选择99.999％超纯银作为磁控溅射的靶材，将其放入磁控溅射腔室；

(2)以玻璃或硅作为衬底，清洗衬底并安装在基片台上；

(3)关闭溅射腔室，抽真空至1×10^-7～9×10^-7torr，以高纯氩气作为工作气体，调节气压为5～13mtorr，离子清洗衬底，打开靶材对应的射频功率源，预溅射靶材；

(4)溅射沉积：调节射频功率：25～100W；工作气压：5～13mtorr；衬底温度：室温～70℃；沉积时间：35～80s进行溅射沉积，得到单分散、尺寸可控纳米银颗粒。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述玻璃衬底的清洗方法为：用去离子水、丙酮和异丙醇依次分别超声清洗10～15min，用去离子水充分漂洗，氮气吹干，备用。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述硅衬底的清洗方法为：在浓度为5％的氢氟酸中超声10～15min除去硅片表面的氧化层，之后用去离子水、丙酮和异丙醇依次分别超声清洗10～15min，用去离子水充分漂洗，氮气吹干，备用。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，所述离子清洗衬底包括以下步骤：开启衬底下的功率源30W，偏压-190V，打开衬底挡板清洗衬底5～10min，清洗完毕关上衬底挡板，关闭衬底下的功率源。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，步骤(3)所述靶材对应的射频功率源的功率为80W。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其特征在于，所述预溅射靶材的时间为10～15min。

7.根据权利要求1-6中任一项所述方法，其特征在于，所述射频磁控溅射的设备靶基距固定为16cm。

8.根据权利要求1-7中所述的方法，其特征在于，由所述方法制备得到的纳米银颗粒为单分散，粒径为5nm～30nm。