[发明专利]集成电路及其制造方法

摘要

本发明公开了一种集成电路及其制造方法，该集成电路包括存储器阵列，存储器阵列包括具有复合杂质结构的扩散位线，多个字线伏在基板内的通道区，数据储存结构，例如浮置栅极结构或介电电荷捕获结构位于交叉点。复合杂质扩散位线在通道区的相对侧提供源极/漏极端，其具高的导电性，良好的深度和陡峭的掺杂分布，即使通道区的临界尺寸低于50纳米。

主权项

一种集成电路，包括：一存储器阵列，包括由一半导体基板内的多个通道区分离的多个源极/漏极线，其中这些源极/漏极线具有一第一杂质，该第一杂质提供具有一载子类型的电荷载子，使得这些源极/漏极线具导电性；多个字线，伏在这些通道区上；数据储存结构，位于这些字线和这些通道区之间的交叉处；以及一第二杂质，抑制该第一杂质在这些通道区和这些源极/漏极线之间的界面区域中的扩散。