[发明专利]具有高斯织构的取向高硅梯度硅钢薄板及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201410666120.5 申请日: 2014-11-20
公开(公告)号: CN104328379A 公开(公告)日: 2015-02-04
发明(设计)人: 吴隽;秦卓;张莉;从善海 申请(专利权)人: 武汉科技大学
主分类号: C23C14/32 分类号: C23C14/32;C23C14/16;C21D8/12
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 张火春
地址: 430081 *** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种具有高斯织构的取向高硅梯度硅钢薄板及其制备方法。其技术方案是:采用多弧离子镀技术,在基底材料的两个表面制得厚度为5~100μm和Si含量为6.5~20wt%的FeSi合金层,再在室温~300°C条件下进行压下量小于15%的轧制,然后在保护性气氛或真空中进行热处理,最后进行精整处理,制得具有高斯织构的取向高硅梯度硅钢薄板。其制品的表面含Si量为6.0~8.5wt%,Si含量沿材料厚度方向由表及内逐渐降低呈梯度分布,总厚度为0.1~0.5mm;所述热处理的温度为700~1300°C保温时间为0.5~24小时。本发明具有工艺简单、生产效率高和适于工业化生产的特点,所制备的取向高硅梯度硅钢薄板综合磁性能优异、力学性能和机械加工性能好。
搜索关键词: 具有 高斯织构 取向 梯度 硅钢 薄板 及其 制备 方法
【主权项】:
一种具有高斯织构的取向高硅梯度硅钢薄板的制备方法,其特征在于采用多弧离子镀技术,在基底材料的两个表面制得FeSi合金层,FeSi合金层的厚度为5~100μm,FeSi合金层的Si含量为6.5~20wt%;再在室温~300°C条件下进行轧制,轧制的压下量小于15%;然后在保护性气氛或真空中进行热处理,最后进行精整处理,制得具有高斯织构的取向高硅梯度硅钢薄板;    所述热处理的温度为700~1300°C,热处理的保温时间为0.5~24小时;所述保护性气氛为H2、N2、Ar中的一种气体或两种气体的混合气体;所述真空的压强小于10‑2Pa。
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