[发明专利]具有高斯织构的取向高硅梯度硅钢薄板及其制备方法无效
| 申请号： | 201410666120.5 | 申请日： | 2014-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN104328379A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 吴隽;秦卓;张莉;从善海 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32;C23C14/16;C21D8/12 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430081 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 高斯织构 取向 梯度 硅钢 薄板 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有高斯织构的取向高硅梯度硅钢薄板的制备方法，其特征在于采用多弧离子镀技术，在基底材料的两个表面制得FeSi合金层，FeSi合金层的厚度为5~100μm，FeSi合金层的Si含量为6.5~20wt%；再在室温~300°C条件下进行轧制，轧制的压下量小于15%；然后在保护性气氛或真空中进行热处理，最后进行精整处理，制得具有高斯织构的取向高硅梯度硅钢薄板；
所述热处理的温度为700~1300°C，热处理的保温时间为0.5~24小时；所述保护性气氛为H2、N2、Ar中的一种气体或两种气体的混合气体；所述真空的压强小于10-2Pa。
2. 根据权利要求1所述的具有高斯织构的取向高硅梯度硅钢薄板的制备方法，其特征在于所述基底材料为普通取向硅钢薄板、或为普通取向硅钢生产中的各薄板形中间产品、或为电工纯铁薄板；基底材料的厚度为0.05~0.5mm，含Si量为0~4.0wt%，其余为Fe和不可避免的杂质元素。
3. 一种具有高斯织构的取向高硅梯度硅钢薄板，其特征在于所述的具有高斯织构的取向高硅梯度硅钢薄板是根据权利要求1~2项中任意一项所述的具有高斯织构的取向高硅梯度硅钢薄板的制备方法所制备的具有高斯织构的取向高硅梯度硅钢薄板，所述具有高斯织构的取向高硅梯度硅钢薄板的表面含Si量为6.0~8.5wt%，Si含量沿材料厚度方向由表及内逐渐降低呈梯度分布；所述具有高斯织构的取向高硅梯度硅钢薄板的总厚度为0.1~0.5mm。
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