[发明专利]改善硅碳源漏NMOS器件性能的方法在审
| 申请号： | 201410664607.X | 申请日： | 2014-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN104465395A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 周建华 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种改善硅碳源漏NMOS器件性能的方法，包括：在硅衬底上形成栅极结构并在硅衬底中形成NMOS器件的漏轻掺杂结构和PMOS器件的漏轻掺杂结构；以及形成NMOS源漏SiC外延区，其中首先淀积作为SiC生长阻挡层的氮化硅层，利用氮化硅层进行光刻以定义SiC区域，接着针对SiC区域进行嵌壁硅干法刻蚀以形成U-型硅凹槽，接着在U-型硅凹槽中进行采用四甲基氢氧化铵溶液的湿法刻蚀以形成∑型形貌的凹进结构，随后在∑型形貌的凹进结构中进行SiC外延生长以形成NMOS源漏SiC外延区。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 碳源 nmos 器件 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种改善硅碳源漏NMOS器件性能的方法，其特征在于包括：在硅衬底上形成栅极结构并在硅衬底中形成NMOS器件的漏轻掺杂结构和PMOS器件的漏轻掺杂结构；以及形成NMOS源漏SiC外延区，其中首先淀积作为SiC生长阻挡层的氮化硅层，利用氮化硅层进行光刻以定义SiC区域，接着针对SiC区域进行嵌壁硅干法刻蚀以形成U‑型硅凹槽，接着在U‑型硅凹槽中进行采用四甲基氢氧化铵溶液的湿法刻蚀以形成∑型形貌的凹进结构，随后在∑型形貌的凹进结构中进行SiC外延生长以形成NMOS源漏SiC外延区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
