[发明专利]改善硅碳源漏NMOS器件性能的方法

权利要求书

1.一种改善硅碳源漏NMOS器件性能的方法，其特征在于包括：

在硅衬底上形成栅极结构并在硅衬底中形成NMOS器件的漏轻掺杂结构和PMOS器件的漏轻掺杂结构；以及

形成NMOS源漏SiC外延区，其中首先淀积作为SiC生长阻挡层的氮化硅层，利用氮化硅层进行光刻以定义SiC区域，接着针对SiC区域进行嵌壁硅干法刻蚀以形成U-型硅凹槽，接着在U-型硅凹槽中进行采用四甲基氢氧化铵溶液的湿法刻蚀以形成∑型形貌的凹进结构，随后在∑型形貌的凹进结构中进行SiC外延生长以形成NMOS源漏SiC外延区。

2.根据权利要求1所述的改善硅碳源漏NMOS器件性能的方法，其特征在于，在硅衬底上形成栅极结构并在硅衬底中形成NMOS器件的漏轻掺杂结构和PMOS器件的漏轻掺杂结构的步骤是在CMOS器件制作工艺中执行的。

3.根据权利要求1或2所述的改善硅碳源漏NMOS器件性能的方法，其特征在于，在硅衬底上形成栅极结构并在硅衬底中形成NMOS器件的漏轻掺杂结构和PMOS器件的漏轻掺杂结构的步骤包括：

在硅衬底中形成进行浅沟槽隔离；

进行阱注入形成N型阱和/或P型阱；

制作第一栅极氧化层，执行栅极多晶硅材料的淀积，并进行栅极多晶硅的光刻形成栅极；

通过原子淀积生成的二氧化硅保护层；

制作第一栅极侧墙。

4.根据权利要求3所述的改善硅碳源漏NMOS器件性能的方法，其特征在于还包括步骤：

进行PMOS轻掺杂注入形成PMOS器件漏轻掺杂结构；

进行锗硅外延生长工艺；

进行NMOS轻掺杂注入形成NMOS器件漏轻掺杂结构；

制作第二栅极侧墙。

5.根据权利要求4所述的改善硅碳源漏NMOS器件性能的方法，其特征在于，第二栅极侧墙包括SiO₂层和SiN层。

6.根据权利要求5所述的改善硅碳源漏NMOS器件性能的方法，其特征在于，第二栅极侧墙的形成包括多SiO₂和SiN的淀积和刻蚀。

7.根据权利要求3所述的改善硅碳源漏NMOS器件性能的方法，其特征在于，第一栅极侧墙的材料是SiN。

8.根据权利要求7所述的改善硅碳源漏NMOS器件性能的方法，其特征在于，制作第一栅极侧墙的步骤包括SiN的淀积和刻蚀。