[发明专利]用于保护射频和微波集成电路的装置与方法有效
申请号: | 201410657846.2 | 申请日: | 2014-11-18 |
公开(公告)号: | CN104733454B | 公开(公告)日: | 2018-10-26 |
发明(设计)人: | S·帕萨萨拉希;R·卡里略-拉姆利兹 | 申请(专利权)人: | 美国亚德诺半导体公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/06 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 金晓 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及用于保护射频和微波集成电路的装置与方法。静电放电(ESD)保护器件可以保护电子电路。在射频(RF)电路及类似的情况下,常规ESD保护器件的插入损耗可能无法满足需要。相对于衬底而言,ESD保护器件的节点的寄生电容的数量不一定是对称的。公开的技术减少信号节点的寄生电容,改善ESD保护器件的插入损耗特性。 | ||
搜索关键词: | 用于 保护 射频 微波集成电路 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种包括集成电路的装置,所述装置包括:被配置以承载信号的第一节点;被配置以承载参考电压的第二节点;所述集成电路的第一电压钳,所述第一电压钳具有阳极与阴极,其中与所述第一电压钳的结电容和所述阳极相关的第一寄生电容比与所述第一电压钳的衬底电容和所述阴极相关的第二寄生电容小,其中所述阳极被可操作地耦合到所述第一节点,并且所述阴极被可操作地耦合到所述第二节点,所述第一电压钳至少包括第一整流器;和所述集成电路的第二电压钳,所述第二电压钳具有阳极与阴极,其中与所述第二电压钳的结电容和所述阴极相关的第三寄生电容比与所述第二电压钳的衬底电容和所述阳极相关的第四寄生电容小,其中所述阳极被可操作地耦合到所述第二节点,并且所述阴极被可操作地耦合到所述第一节点,所述第二电压钳至少包括第二整流器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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