[发明专利]用于保护射频和微波集成电路的装置与方法

权利要求书

1.一种包括集成电路的装置，所述装置包括：

被配置以承载信号的第一节点；

被配置以承载参考电压的第二节点；

所述集成电路的第一电压钳，所述第一电压钳具有阳极与阴极，其中与所述第一电压钳的结电容和所述阳极相关的第一寄生电容比与所述第一电压钳的衬底电容和所述阴极相关的第二寄生电容小，其中所述阳极被可操作地耦合到所述第一节点，并且所述阴极被可操作地耦合到所述第二节点，所述第一电压钳至少包括第一整流器；和

所述集成电路的第二电压钳，所述第二电压钳具有阳极与阴极，其中与所述第二电压钳的结电容和所述阴极相关的第三寄生电容比与所述第二电压钳的衬底电容和所述阳极相关的第四寄生电容小，其中所述阳极被可操作地耦合到所述第二节点，并且所述阴极被可操作地耦合到所述第一节点，所述第二电压钳至少包括第二整流器。

2.如权利要求1所述装置，还包括可操作地在所述第一节点与所述第二节点间耦合的终端电阻。

3.如权利要求1所述装置，其中第一电压钳只包括所述第一整流器，其中第二电压钳只包括所述第二整流器，并且其中所述第一整流器与所述第二整流器各自包括二极管。

4.如权利要求1所述装置，其中第一电压钳只包括所述第一整流器，并且其中所述第一整流器包括二极管。

5.如权利要求1所述装置，其中第二电压钳只包括所述第二整流器，并且其中所述第二整流器包括二极管。

6.如权利要求1所述装置，其中第一电压钳包括串联排列的第一多个二极管，其中所述第一多个二极管的每个二极管具有阳极与阴极，其中所述第一多个二极管的每个二极管的所述阳极具有比它的阴极更小的寄生电容，其中第二电压钳包括串联排列的第二多个二极管，其中所述第二多个二极管的每个二极管具有阳极与阴极，其中所述第二多个二极管的每个二极管的所述阴极具有比它的阳极更小的寄生电容。

7.如权利要求1所述装置，其中所述第一电压钳包括串联排列的第一多个二极管，其中所述第一多个二极管的每个二极管具有阳极与阴极，其中所述第一多个二极管的每个二极管的所述阳极具有比它的阴极更小的寄生电容。

8.如权利要求1所述的装置，其中所述第二电压钳包括串联排列的第二多个二极管，其中所述第二多个二极管的每个二极管具有阳极与阴极，其中所述第二多个二极管的每个二极管的阴极具有比它的阳极更小的寄生电容。

9.如权利要求1所述装置，其中所述第一电压钳与所述第二电压钳各自还包括晶闸管。

10.如权利要求1所述装置，其中所述第一电压钳还包括晶闸管。

11.如权利要求1所述装置，其中所述第二电压钳还包括晶闸管。

12.一种保护射频RF电路免受静电放电ESD的方法，所述方法包括：

使用第一节点承载信号；

使用第二节点承载参考电压；

使用集成电路的第一电压钳来钳位所述第一节点的电压，所述第一电压钳具有阳极与阴极，其中与所述第一电压钳的结电容和所述阳极相关的第一寄生电容比与所述第一电压钳的衬底电容和所述阴极相关的第二寄生电容小，其中所述阳极被可操作地耦合到所述第一节点，并且所述阴极被可操作地耦合到所述第二节点，所述第一电压钳至少包括第一整流器；并且

使用所述集成电路的第二电压钳来钳位所述第一节点的电压，所述第二电压钳具有阳极与阴极，其中与所述第二电压钳的结电容和所述阴极相关的第三寄生电容比与所述第二电压钳的衬底电容和所述阳极相关的第四寄生电容小，其中所述阳极被可操作地耦合到所述第二节点，并且所述阴极被可操作地耦合到所述第一节点，所述第二电压钳至少包括第二整流器。

13.如权利要求12所述方法，还包括使用终端电阻来终结被可操作地耦合到所述第一节点与所述第二节点的传输线。