[发明专利]保护环结构及其形成方法有效
申请号: | 201410655989.X | 申请日: | 2014-11-17 |
公开(公告)号: | CN105679755B | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
发明(设计)人: | 林宛彦;林文杰;苏郁迪;陈柏廷;曾仁洲;陈国基;张胜杰;梁铭彰 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/761 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了电路器件。电路器件包括核心电路。该电路器件还包括具有第一掺杂剂类型的第一组保护环,第一组保护环围绕在核心电路的外围,第一组保护环包括第一保护环和第二保护环。该电路器件还包括具有第二掺杂剂类型的第二组保护环,第二掺杂剂类型与第一掺杂剂类型相反,其中,第二组保护环的至少一个保护环围绕在第一组保护环的至少一个保护环的外围,并且第二组保护环包括第三保护环和第四保护环。 | ||
搜索关键词: | 保护环 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种电路器件,包括:核心电路;第一组保护环,具有第一掺杂剂类型,所述第一组保护环围绕在所述核心电路的外围,所述第一组保护环包括第一保护环和第二保护环;以及第二组保护环,具有第二掺杂剂类型,所述第二掺杂剂类型与所述第一掺杂剂类型相反,其中,所述第二组保护环的至少一个保护环围绕在所述第一组保护环的至少一个保护环的外围,并且所述第二组保护环包括第三保护环和第四保护环,其中,所述第一保护环和所述第二保护环由第一多个保护组件构成,所述第三保护环和所述第四保护环由第二多个保护组件构成,并且所述第一多个保护组件与所述第二多个保护组件相互交错布局。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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