[发明专利]保护环结构及其形成方法

说明书

本发明提供了电路器件。电路器件包括核心电路。该电路器件还包括具有第一掺杂剂类型的第一组保护环，第一组保护环围绕在核心电路的外围，第一组保护环包括第一保护环和第二保护环。该电路器件还包括具有第二掺杂剂类型的第二组保护环，第二掺杂剂类型与第一掺杂剂类型相反，其中，第二组保护环的至少一个保护环围绕在第一组保护环的至少一个保护环的外围，并且第二组保护环包括第三保护环和第四保护环。

技术领域

本发明涉及集成电路器件，更具体地，涉及保护环结构及其形成方法。

背景技术

保护环用作集成电路内的器件之间的隔离区。保护环围绕电路器件的周边以减小邻近的器件之间的干扰。在一些方法中，与鳍式场效应晶体管(FinFET)电路器件相关的保护环也包括鳍结构。

保护环也有助于在静电放电(ESD)事件期间使电路器件中的能量耗散。当较大电流从一个元件传输至另一元件时发生ESD事件。保护环用于帮助引导该较大电流以降低损坏电路器件的风险。保护环影响电路器件内的保持电压。保持电压与保护环在ESD事件期间使能量耗散的能力相关。在一些方法中，增大邻近的保护环之间的间隔以增大电路器件的保持电压。

发明内容

为了现有技术中存在的问题，本发明提供了一种电路器件，包括：核心电路；第一组保护环，具有第一掺杂剂类型，所述第一组保护环围绕在所述核心电路的外围，所述第一组保护环包括第一保护环和第二保护环；以及第二组保护环，具有第二掺杂剂类型，所述第二掺杂剂类型与所述第一掺杂剂类型相反，其中，所述第二组保护环的至少一个保护环围绕在所述第一组保护环的至少一个保护环的外围，并且所述第二组保护环包括第三保护环和第四保护环。

在上述电路器件中，其中，所述第三保护环位于所述第一保护环和所述第二保护环之间。

在上述电路器件中，其中，所述电路器件还包括位于所述第一保护环和所述第二保护环中的鳍结构。

在上述电路器件中，其中，所述电路器件还包括位于所述第一保护环和所述第二保护环中的鳍结构；其中，所述第一保护环中的邻近的鳍结构在第一方向上彼此间隔第一距离。

在上述电路器件中，其中，所述电路器件还包括位于所述第一保护环和所述第二保护环中的鳍结构；其中，所述第一保护环中的邻近的鳍结构在第一方向上彼此间隔第一距离；其中，所述第一保护环中的邻近的鳍结构在第二方向上彼此间隔第二距离，所述第二距离小于所述第一距离，其中，所述第二方向垂直于所述第一方向。

在上述电路器件中，其中，所述电路器件还包括位于所述第一保护环和所述第二保护环中的鳍结构；其中，所述第一保护环中的邻近的鳍结构在第一方向上彼此间隔第一距离；其中，所述第一保护环中的邻近的鳍结构在第二方向上彼此接触，其中，所述第二方向垂直于所述第一方向。

在上述电路器件中，其中，所述电路器件还包括位于所述第一保护环和所述第二保护环中的鳍结构；其中，所述第一保护环中的邻近的鳍结构通过连接线彼此连接。

在上述电路器件中，其中，所述电路器件还包括位于所述第一保护环和所述第二保护环中的鳍结构；其中，所述第一保护环中的邻近的鳍结构通过连接线彼此连接；其中，所述连接线连接至基准电压。

在上述电路器件中，其中，所述电路器件还包括位于所述第一保护环和所述第二保护环中的鳍结构；其中，所述第一保护环中的鳍结构相对于所述第二保护环中的鳍结构偏移。

在上述电路器件中，其中，所述电路器件还包括位于所述第一保护环和所述第二保护环中的鳍结构；其中，所述第一保护环中的鳍结构相对于所述第二保护环中的鳍结构偏移；其中，所述第一保护环中的鳍结构的部分在垂直于所述第一保护环中的邻近的鳍结构之间的间距的方向上与所述第二保护环中的鳍结构的部分重叠。