[发明专利]离子生成装置及离子生成方法有效
| 申请号： | 201410645296.2 | 申请日： | 2014-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN104637764B | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 佐藤正辉 | 申请（专利权）人： | 斯伊恩股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/08 | 分类号： | H01J37/08;H01J27/08 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种离子生成装置及离子生成方法，其目的在于提供一种在注入离子时减少重金属离子的污染、且生成高生产率的离子的技术。所述离子生成装置(10)具备电弧室(12)，至少一部分由含有碳的材料构成；热电子放出部(14)，向电弧室(12)内放出热电子；及气体导入口(24)，将源气体及Cokes气体导入电弧室(12)内。导入电弧室的源气体中含有卤化物气体，导入电弧室的Cokes气体中含有具有碳原子及氢原子的化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 生成 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种离子生成装置，其特征在于，具备：电弧室，至少一部分由含有碳的材料构成；热电子放出部，向所述电弧室内放出热电子；及气体导入部，将源气体及Cokes气体导入所述电弧室内，导入所述电弧室的所述源气体含有选自包括BF3、GeF4及PF3的组中的至少一种气体，导入所述电弧室的所述Cokes气体含有碳氢化合物。
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