[发明专利]离子生成装置及离子生成方法有效

专利信息
申请号: 201410645296.2 申请日: 2014-11-11
公开(公告)号: CN104637764B 公开(公告)日: 2018-04-20
发明(设计)人: 佐藤正辉 申请(专利权)人: 斯伊恩股份有限公司
主分类号: H01J37/08 分类号: H01J37/08;H01J27/08
代理公司: 永新专利商标代理有限公司72002 代理人: 白丽
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 离子 生成 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种离子生成装置,其特征在于,具备:

电弧室,至少一部分由含有碳的材料构成;

热电子放出部,向所述电弧室内放出热电子;及

气体导入部,将源气体及Cokes气体导入所述电弧室内,

导入所述电弧室的所述源气体含有选自包括BF3、GeF4及PF3的组中的至少一种气体,

导入所述电弧室的所述Cokes气体含有碳氢化合物。

2.根据权利要求1所述的离子生成装置,其特征在于,

所述碳氢化合物为选自包括CH4、C2H6、C3H8及C4H10的组中的至少一种气体。

3.根据权利要求1或2所述的离子生成装置,其特征在于,

所述电弧室的除灯丝及阴极之外的内壁表面由碳构成。

4.一种离子生成方法,其特征在于,具备:

导入工序,将源气体及Cokes气体导入至少一部分由含有碳的材料构成的电弧室内;

放出工序,向所述电弧室内部放出热电子;

生成工序,通过所述源气体和所述热电子的碰撞而生成等离子体;及

引出工序,从所述等离子体向外部引出离子,

导入所述电弧室的所述源气体中含有选自包括BF3、GeF4及PF3的组中的至少一种气体,

导入所述电弧室的所述Cokes气体中含有碳氢化合物。

5.根据权利要求4所述的离子生成方法,其特征在于,

所述生成工序中电弧室内的温度为600℃以上。

6.根据权利要求4或5所述的离子生成方法,其特征在于,所述碳氢化合物为选自包括CH4、C2H6、C3H8及C4H10的组中的至少一种气体。

7.根据权利要求4或5所述的离子生成方法,其特征在于,

在所述导入工序中,除导入所述源气体及所述Cokes气体之外,还导入稀有气体。

8.根据权利要求4或5所述的离子生成方法,其特征在于,

所述离子生成方法还具备排出工序,该排出工序将包含在所述源气体中的卤素作为卤化氢而排出。

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