[发明专利]固态图像传感器件及其制造方法有效
申请号: | 201410641781.2 | 申请日: | 2014-11-06 |
公开(公告)号: | CN104637964B | 公开(公告)日: | 2019-05-10 |
发明(设计)人: | 西田征男;山下朋弘;山本有纪 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/82;H01L21/28;H04N5/335 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了一种固态图像传感器件及其制造方法,改善了图像传感器的性能。在平面图中,氟被引入到放大晶体管的栅极电极GE1中的与沟道区域重叠的部分中,但不被引入到半导体衬底1S的内部中。具体地,如图20所示,按照使栅极电极GE1中的与沟道区域平面地重叠的部分开口的方式,对抗蚀膜FR1进行图案化。然后,将其中形成开口OP1的抗蚀膜FR1用作掩膜,通过离子注入法,将氟注射到从开口OP1中暴露出来的栅极电极GE1的内部中。 | ||
搜索关键词: | 栅极电极 固态图像传感器件 开口 沟道区域 放大晶体管 离子注入法 图像传感器 抗蚀膜 图案化 引入 衬底 掩膜 半导体 制造 注射 对抗 暴露 | ||
【主权项】:
1.一种用于制造固态图像传感器件的方法,所述固态图像传感器件设置有具有成像区域的半导体衬底,所述成像区域中形成有多个像素,其中所述成像区域形成有:光电转换部,用于将入射光转换为电荷;以及放大晶体管,用于放大基于所述电荷的电信号,每个所述放大晶体管包括:源极区域和漏极区域,按照彼此隔离的方式形成在所述半导体衬底中;沟道区域,夹设在所述源极区域与所述漏极区域之间;栅极绝缘膜,形成在所述沟道区域之上;以及栅极电极,形成在所述栅极绝缘膜之上,所述方法包括以下步骤:(a)在所述半导体衬底之上形成所述栅极绝缘膜;(b)在所述栅极绝缘膜之上形成第一导电膜;(c)将所述第一导电膜图案化,并形成所述栅极电极;(d)在所述步骤(c)之后,在所述半导体衬底中形成所述源极区域和所述漏极区域;(e)在所述步骤(d)之后,在平面图中,将氟引入到所述栅极电极中的与所述沟道区域重叠的部分中;以及(f)在所述步骤(e)之后,加热所述半导体衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的