[发明专利]固态图像传感器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201410641781.2 申请日: 2014-11-06
公开(公告)号: CN104637964B 公开(公告)日: 2019-05-10
发明(设计)人: 西田征男;山下朋弘;山本有纪 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L21/82;H01L21/28;H04N5/335
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了一种固态图像传感器件及其制造方法,改善了图像传感器的性能。在平面图中,氟被引入到放大晶体管的栅极电极GE1中的与沟道区域重叠的部分中,但不被引入到半导体衬底1S的内部中。具体地,如图20所示,按照使栅极电极GE1中的与沟道区域平面地重叠的部分开口的方式,对抗蚀膜FR1进行图案化。然后,将其中形成开口OP1的抗蚀膜FR1用作掩膜,通过离子注入法,将氟注射到从开口OP1中暴露出来的栅极电极GE1的内部中。
搜索关键词: 栅极电极 固态图像传感器件 开口 沟道区域 放大晶体管 离子注入法 图像传感器 抗蚀膜 图案化 引入 衬底 掩膜 半导体 制造 注射 对抗 暴露
【主权项】:
1.一种用于制造固态图像传感器件的方法,所述固态图像传感器件设置有具有成像区域的半导体衬底,所述成像区域中形成有多个像素,其中所述成像区域形成有:光电转换部,用于将入射光转换为电荷;以及放大晶体管,用于放大基于所述电荷的电信号,每个所述放大晶体管包括:源极区域和漏极区域,按照彼此隔离的方式形成在所述半导体衬底中;沟道区域,夹设在所述源极区域与所述漏极区域之间;栅极绝缘膜,形成在所述沟道区域之上;以及栅极电极,形成在所述栅极绝缘膜之上,所述方法包括以下步骤:(a)在所述半导体衬底之上形成所述栅极绝缘膜;(b)在所述栅极绝缘膜之上形成第一导电膜;(c)将所述第一导电膜图案化,并形成所述栅极电极;(d)在所述步骤(c)之后,在所述半导体衬底中形成所述源极区域和所述漏极区域;(e)在所述步骤(d)之后,在平面图中,将氟引入到所述栅极电极中的与所述沟道区域重叠的部分中;以及(f)在所述步骤(e)之后,加热所述半导体衬底。
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