[发明专利]固态图像传感器件及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造固态图像传感器件的方法，所述固态图像传感器件设置有具有成像区域的半导体衬底，所述成像区域中形成有多个像素，

其中所述成像区域形成有：

光电转换部，用于将入射光转换为电荷；以及

放大晶体管，用于放大基于所述电荷的电信号，

每个所述放大晶体管包括：

源极区域和漏极区域，按照彼此隔离的方式形成在所述半导体衬底中；

沟道区域，夹设在所述源极区域与所述漏极区域之间；

栅极绝缘膜，形成在所述沟道区域之上；以及

栅极电极，形成在所述栅极绝缘膜之上，

所述方法包括以下步骤：

(a)在所述半导体衬底之上形成所述栅极绝缘膜；

(b)在所述栅极绝缘膜之上形成第一导电膜；

(c)将所述第一导电膜图案化，并形成所述栅极电极；

(d)在所述步骤(c)之后，在所述半导体衬底中形成所述源极区域和所述漏极区域；

(e)在所述步骤(d)之后，在平面图中，将氟引入到所述栅极电极中的与所述沟道区域重叠的部分中；以及

(f)在所述步骤(e)之后，加热所述半导体衬底。

2.根据权利要求1所述的用于制造固态图像传感器件的方法，其中，所述步骤(e)包括以下步骤：

(e1)在平面图中，使得所述栅极电极中的与所述沟道区域重叠的区域是开口的，以及形成用于覆盖除了所述重叠区域之外的区域的抗蚀膜；以及

(e2)在平面图中，通过将所述抗蚀膜用作掩膜，将氟引入到所述栅极电极中的与所述沟道区域重叠的所述部分中。

3.根据权利要求2所述的用于制造固态图像传感器件的方法，其中所述步骤(e2)通过离子注入方法实施。

4.根据权利要求3所述的用于制造固态图像传感器件的方法，其中在所述步骤(e2)中，引入不少于1×10¹⁴/cm²的剂量的氟。

5.根据权利要求1所述的用于制造固态图像传感器件的方法，其中在所述步骤(f)中，以不低于650℃的加热温度加热所述半导体衬底。

6.根据权利要求1所述的用于制造固态图像传感器件的方法，

所述方法在所述步骤(d)之后并且在所述步骤(e)之前，包括以下步骤：

(g)在所述半导体衬底之上形成层间绝缘膜，所述层间绝缘膜是用于覆盖所述栅极电极的层间绝缘膜，并且包括第一绝缘膜和形成在所述第一绝缘膜之上的第二绝缘膜；以及

(h)在平面图中，将所述层间绝缘膜图案化，从而使得通过去除形成在所述栅极电极中的与所述沟道区域重叠的所述部分之上的所述第二绝缘膜，来暴露出在所述重叠部分之上的所述第一绝缘膜，以及

其中在所述步骤(e)中，在所述步骤(h)之后，通过将图案化的所述层间绝缘膜用作掩膜，来将氟引入到所述重叠部分中。

7.根据权利要求6所述的用于制造固态图像传感器件的方法，所述方法包括以下步骤：

(i)在所述步骤(e)之后，形成接触孔，所述接触孔通过所述层间绝缘膜并且到达所述源极区域或所述漏极区域。

8.根据权利要求7所述的用于制造固态图像传感器件的方法，其中所述步骤(f)在所述步骤(i)之后实施。

9.根据权利要求1所述的用于制造固态图像传感器件的方法，

所述方法在所述步骤(d)之后并且在所述步骤(e)之前，包括以下步骤：

(j)在所述半导体衬底之上，形成用于覆盖所述栅极电极的层间绝缘膜；以及

(k)在平面图中，将所述层间绝缘膜图案化，从而使得通过去除形成在所述栅极电极中的与所述沟道区域重叠的所述部分之上的所述层间绝缘膜，来暴露出所述重叠部分，

其中在所述步骤(e)中，在所述步骤(k)之后，通过将图案化的所述层间绝缘膜用作掩膜，来将氟引入到所述重叠部分中。