[发明专利]固态图像传感器件及其制造方法

说明书

本发明提供了一种固态图像传感器件及其制造方法，改善了图像传感器的性能。在平面图中，氟被引入到放大晶体管的栅极电极GE1中的与沟道区域重叠的部分中，但不被引入到半导体衬底1S的内部中。具体地，如图20所示，按照使栅极电极GE1中的与沟道区域平面地重叠的部分开口的方式，对抗蚀膜FR1进行图案化。然后，将其中形成开口OP1的抗蚀膜FR1用作掩膜，通过离子注入法，将氟注射到从开口OP1中暴露出来的栅极电极GE1的内部中。

相关申请的交叉引用

2013年11月7日提交的日本专利申请No.2013-231535的公开的包括说明书、附图和摘要的全文以引用的方式全部并入本文。

技术领域

本发明涉及一种固态图像传感器件，典型地以例如CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器为代表，以及制造该器件的方法。

背景技术

在日本特开2008-218836(专利文献1)号公报中，描述了一种通过镍全硅化(nickel fullsilicide)电极来配置栅极电极的技术。具体地，在专利文献1中描述了，具有硅化反应抑制效果的氟被注射到栅极电极中以便形成具有镍单硅化物的组分的镍全硅化电极。

[引文列表]

[专利文件]

[专利文件1]日本特开2008-218836号公报

发明内容

在以例如CMOS图像传感器为代表的固态图像传感器件中，减少基线噪声是一大挑战，基线噪声被视为即使在暗时图像也不是纯黑的现象。已知，基线噪声与1/f噪声(闪烁噪声)强相关，该1/f噪声在被包括在像素中的被称为“放大晶体管”的n沟道场效应晶体管处产生。因此，降低在“放大晶体管”处产生的1/f噪声以降低基线噪声很重要。

在这样的背景下，已知，通过减少在“放大晶体管”的栅极绝缘膜中存在的悬挂键(不饱和键)来降低1/f噪声是有效的，作为一种降低悬挂键的方法，存在一种将氟与悬挂键结合的方法。例如，可以设想通过离子注入的方法来将氟引入到包括“放大晶体管”的固态图像传感器件中。

然而，担心含氟离子束中所包含的污染物(致污物)会有不良影响。即，如果以例如钨(W)为代表的金属原子作为污染物侵入到半导体衬底中，那么固态图像传感器件的暗时白点数(the number of white spots at dark)和暗电流可能不被期望地增加。这可以能是由这一事实所造成的：已经侵入到半导体衬底中的金属原子扩散，并且从而到达用作光电转换部的光电二极管，并且由此产生缺陷能级。即，据估计，当产生缺陷能级时，在光电二极管中，泄漏电流通过缺陷能级而增加，并且泄漏电流的增加导致在暗时白点数和暗电流的增加。

以这种方式，虽然从减少“放大晶体管”的1/f噪声以及减少固态图像传感器件的基线噪声的角度来看，将氟引入固态图像传感器件是有效的，但是，担心与氟一起引入的污染物可以能会使暗时白点数和暗电流增加。即，从减少固态图像传感器件的基线噪声以及抑制暗时白点数和暗电流增加的角度来看，仅仅是将氟引入到固态图像传感器件中的方法是不够的，仍有改进的余地。

其它问题和新颖特征将通过本说明书和附图中的说明而变得显而易见。

在根据实施例的固态图像传感器件中，在平面图中，将氟引入到放大晶体管的栅极电极中的与沟道区域重叠的部分中。

进一步地，一种制造根据实施例的固态图像传感器件的方法包括以下步骤：形成放大晶体管的栅极电极，并且在平面图中将氟依次引入到栅极电极中的与沟道区域重叠的部分中。

根据实施例，可以改善固态图像传感器件的性能。

附图说明

图1是示出了在图像传感器中将光转换为电信号的情况的示意图；