[发明专利]一种基于氮化铝基板的限频功率模块在审
| 申请号: | 201410625420.9 | 申请日: | 2014-11-07 |
| 公开(公告)号: | CN104410261A | 公开(公告)日: | 2015-03-11 |
| 发明(设计)人: | 张剑;张勇;王晓漫;李寿胜;卢道万;卢剑寒;夏俊生 | 申请(专利权)人: | 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 |
| 主分类号: | H02M1/32 | 分类号: | H02M1/32;H02M1/08 |
| 代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林;耿英 |
| 地址: | 215163 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种基于氮化铝基板的限频功率模块,包括级联的功率MOS管、隔离二极管阵列、栅极驱动,级联功率MOS管、隔离二极管阵列、栅极驱动通过锡焊工艺组装到氮化铝基板,通过同质键合进行电学连接;外部控制信号经栅极驱动,驱动级联功率MOS管导通或截止,级联MOS管导通时,将电池的多余电流进行泄放;级联MOS管截止时,电源通过隔离二极管陈列输出给负载系统。本发明的限频功率模块的优点是高质量等级、良好散热。具有抗电离辐射能力,抗单粒子,高可靠性,可靠工作寿命达15年。具有使用灵活,通用性强的特点。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 基于 氮化 铝基板 功率 模块 | ||
【主权项】:
一种基于氮化铝基板的限频功率模块,其特征在于,包括级联的功率MOS管、隔离二极管阵列、栅极驱动,级联功率MOS管、隔离二极管阵列、栅极驱动通过锡焊工艺组装到氮化铝基板,通过同质键合进行电学连接;外部控制信号经栅极驱动,驱动级联功率MOS管导通或截止,级联MOS管导通时,将电池的多余电流进行泄放;级联MOS管截止时,电源通过隔离二极管陈列输出给负载系统。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
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H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置





