[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201410608814.3 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN105552125A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 郭威宏;林素芳;周以伦;傅毅耕 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括硅基板、栅极电极、漏极、以及源极。硅基板具有至少一凹部，所述凹部包括(111)晶面。栅极电极位于所述凹部旁的所述硅基板上。漏极位于所述栅极电极旁的所述凹部内，其中所述漏极是选择性成长于所述凹部内的宽能隙材料。源极则是相对所述漏极而位于所述栅极电极旁的所述硅基板内。因为漏极是宽能隙材料，所以能解决硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的漏极端引入的势垒降低(DIBL)效应。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：硅基板，具有至少一凹部，所述凹部包括(111)晶面；栅极电极，位于所述凹部旁的所述硅基板上；漏极，位于所述栅极电极旁的所述凹部内，其中所述漏极是选择性成长于所述凹部内的宽能隙材料；以及源极，相对所述漏极而位于所述栅极电极旁的所述硅基板内。
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