[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：

硅基板，具有至少一凹部，所述凹部包括(111)晶面；

栅极电极，位于所述凹部旁的所述硅基板上；

漏极，位于所述栅极电极旁的所述凹部内，其中所述漏极是选择性成长 于所述凹部内的宽能隙材料；以及

源极，相对所述漏极而位于所述栅极电极旁的所述硅基板内。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述凹部还包括位于 相对所述漏极的所述栅极电极旁的所述硅基板内，且所述源极是选择性成长 于所述凹部内的宽能隙材料。

3.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：

基板；

外延结构，位于所述基板上；

氧化硅层，位于所述外延结构上；

硅层，位于所述氧化硅层上并与所述氧化硅层构成硅堆叠层，且所述硅 堆叠层具有至少一开口露出所述外延结构；

栅极电极，位于所述开口旁的所述硅层上；

漏极，位于所述栅极电极旁的所述开口内，其中所述漏极是自所述开口 内的所述外延结构选择性成长的宽能隙材料；以及

源极，相对所述漏极而位于所述栅极电极旁的所述硅层内。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述开口还包括位于 相对所述漏极的所述栅极电极旁的所述硅层内，且所述源极是选择性成长于 所述开口内的宽能隙材料。

5.如权利要求1-4中任一所述的半导体结构，其特征在于，所述宽能隙 材料包括氮化镓、碳化硅或能隙大于1.7eV的材料。

6.如权利要求1-4中任一所述的半导体结构，其特征在于，所述宽能隙 材料的厚度为0.1μm-2μm。

7.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在基板上形成外延结构；

在所述外延结构上形成氧化硅层；

接合绝缘体上硅层基板与所述外延结构上的所述氧化硅层，其中所述绝 缘体上硅层基板是由第一硅层、绝缘中间层与第二硅层所构成，所述氧化硅 层是与所述第一硅层接触；

完全去除所述绝缘体上硅层基板的所述绝缘中间层与所述第二硅层；

在所述第一硅层中形成源极掺杂区与漏极掺杂区；

去除部分所述第一硅层与所述氧化硅层，以形成穿过所述漏极掺杂区的 第一开口，并露出所述外延结构；

自所述第一开口内的所述外延结构选择性成长宽能隙材料作为漏极；以 及

在所述源极掺杂区与所述漏极掺杂区之间形成栅极电极。

8.如权利要求7所述的半导体结构的制造方法，还包括：

去除部分所述第一硅层与所述氧化硅层时，形成穿过所述源极掺杂区的 第二开口，并露出所述外延结构；以及

自所述第二开口内的所述外延结构选择性成长宽能隙材料作为源极。

9.如权利要求7所述的半导体结构的制造方法，还包括：

去除部分所述第一硅层与所述氧化硅层时，形成露出所述外延结构的氮 化物器件区域；以及

在形成所述栅极电极后，在所述氮化物器件区域形成氮化物器件。

10.如权利要求7-9中任一所述的半导体结构的制造方法，其特征在于， 选择性成长所述宽能隙材料的方法包括有机金属化学气相沉积法。