[发明专利]一种闪存可靠性的筛选测试方法有效
| 申请号： | 201410589708.5 | 申请日： | 2014-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN104347121B | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 张宇飞;龚斌;罗旖旎;谢振;张佐兵 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/08 | 分类号： | G11C29/08 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体缺陷检测领域，尤其涉及一种提升NOR型闪存芯片可靠性的筛选测试方法，通过在原有的闪存芯片测试基础上增加一个电压应力测试，首先将待测闪存芯片的所有地址单元写入0并确认全为0，然后向闪存芯片的栅极提供负高压，漏极提供正高压，使得两端的压差在10V以上并保持一段安全时间后进行一次擦除操作，以筛选出应力测试出现问题的闪存芯片，这样可以提高产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 可靠性 筛选 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种闪存可靠性的筛选测试方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：提供若干待测闪存芯片；步骤S2：将所述若干待测闪存芯片的所有地址单元均写入0；步骤S3：在每个所述待测闪存芯片的栅极和漏极之间均施加一个电压应力并保持预定的时间段；步骤S4：通过对所述若干待测闪存芯片中的每一个地址单元均进行擦除操作以筛选出具有介质层缺陷的待测闪存芯片；所述负电压大于‑10V，所述正电压小于10V；所述预定的时间段为20‑200ms。
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