[发明专利]一种闪存可靠性的筛选测试方法有效
| 申请号： | 201410589708.5 | 申请日： | 2014-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN104347121B | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 张宇飞;龚斌;罗旖旎;谢振;张佐兵 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/08 | 分类号： | G11C29/08 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 可靠性 筛选 测试 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种闪存可靠性的筛选测试方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：提供若干待测闪存芯片；
步骤S2：将所述若干待测闪存芯片的所有地址单元均写入0；
步骤S3：在每个所述待测闪存芯片的栅极和漏极之间均施加一个电压应力并保持预定的时间段；
步骤S4：通过对所述若干待测闪存芯片中的每一个地址单元均进行擦除操作以筛选出具有介质层缺陷的待测闪存芯片；
所述负电压大于-10V，所述正电压小于10V；
所述预定的时间段为20-200ms。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2还包括：读取所有地址单元的内容，并判断每个地址单元的内容是否为0，如果是，则进行步骤S3，如果不是，则输出错误信息，该芯片测试结束。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电压应力的值大于10V。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，将所述待测闪存芯片的栅极接入负电压，将所述待测闪存芯片的漏极接入正电压以产生所述电压应力。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待测闪存芯片为NOR型闪存芯片。
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