[发明专利]加热模块和包含所述加热模块的衬底处理设备有效
申请号: | 201410563348.1 | 申请日: | 2014-10-21 |
公开(公告)号: | CN104576447B | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
发明(设计)人: | 梁相熙;沈亨基;李基雄 | 申请(专利权)人: | AP系统股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 韩国京畿道华城市*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种加热模块与衬底处理设备。用于对衬底进行预热的加热模块安装在用于执行主处理的主处理模块的前端处。当将用激光照射衬底以使衬底结晶的激光结晶模块用作主处理模块时,加热模块对衬底进行预热,并且接着,激光结晶模块用激光照射衬底。即,在激光结晶处理之前使用加热模块对衬底进行预热。因此,主处理模块中在激光照射前后的温差小,并且加热和冷却速度低。因而,与现有技术中的多晶膜相比,根据所述实施例的多晶膜具有较大晶体粒径和较小晶格缺陷数目。 | ||
搜索关键词: | 加热模块 衬底 激光结晶 激光照射 衬底处理设备 主处理模块 多晶膜 预热 加热和冷却 处理模块 晶格缺陷 大晶体 前端处 预热的 主处理 粒径 温差 | ||
【主权项】:
1.一种加热模块,其特征在于包括:多个灯式加热器,以垂直于衬底的移动方向线的方式排列以形成板形状的热源;下部外壳,其经配置以容纳所述灯式加热器;窗口部分,其经配置以覆盖容纳在所述下部外壳中的所述灯式加热器并且传递从所述灯式加热器发出的热;以及固定框架,其经配置以将所述窗口部分固定到所述下部外壳并且将冲洗气体喷射到所述窗口部分的上侧,其中每一所述灯式加热器包括灯体以及在所述灯体中卷绕的灯丝,且对于所述多个灯式加热器中除了在两个边缘处的两个所述灯式加热器之外的所有所述灯式加热器,每区域的所述灯丝的卷绕数目在所述灯体的延伸方向上经调整以控制所述板形状的热源的加热温度分布。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造