[发明专利]加热模块和包含所述加热模块的衬底处理设备有效
申请号: | 201410563348.1 | 申请日: | 2014-10-21 |
公开(公告)号: | CN104576447B | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
发明(设计)人: | 梁相熙;沈亨基;李基雄 | 申请(专利权)人: | AP系统股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 韩国京畿道华城市*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加热模块 衬底 激光结晶 激光照射 衬底处理设备 主处理模块 多晶膜 预热 加热和冷却 处理模块 晶格缺陷 大晶体 前端处 预热的 主处理 粒径 温差 | ||
本发明提供一种加热模块与衬底处理设备。用于对衬底进行预热的加热模块安装在用于执行主处理的主处理模块的前端处。当将用激光照射衬底以使衬底结晶的激光结晶模块用作主处理模块时,加热模块对衬底进行预热,并且接着,激光结晶模块用激光照射衬底。即,在激光结晶处理之前使用加热模块对衬底进行预热。因此,主处理模块中在激光照射前后的温差小,并且加热和冷却速度低。因而,与现有技术中的多晶膜相比,根据所述实施例的多晶膜具有较大晶体粒径和较小晶格缺陷数目。
技术领域
本发明涉及一种加热模块(heating module)以及包含所述加热模块的衬底处理设备(substrate treating apparatus),并且更明确地说,涉及一种用于在主处理之前对衬底进行预热的加热模块以及包含所述加热模块的衬底处理设备。
背景技术
用作用于液晶面板的切换装置的低温多晶硅(low temperature polysilicon,LTP)薄膜晶体管是通过沉积非晶硅层并使其结晶而形成。此类非晶硅层可经由依序侧向凝固(sequential lateral solidification,SLS)或准分子激光退火(excimer laserannealing,ELA)而结晶。
SLS是一种诱发侧向生长以获得接近于单晶并且具有大场效应移动性(fieldeffect mobility)的晶体的方法。然而,因为所发出的激光束具有高度的能量相依性,因此工艺范围(process margin)不大。此外,因为于其上放置衬底的平台的准确度对于处理具有大的影响,因此难以使整个衬底具有均一结果。
ELA为一种诱发垂直生长的方法,其在结晶特性方面不如SLS,但对于整个衬底提供均一性并且因而广泛地使用。
典型ELA设备包含:腔室;衬底转移部分,其安装在所述腔室中以支撑衬底并且使所述衬底在处理方向上水平移动;透明窗口,其安装在所述腔室的上部部分上;激光产生器部分,其安置于所述腔室之外以发出激光;以及反射器,其安置于所述腔室之外并且面向所述透明窗口的上侧以将从所述激光产生器部分发出的所述激光引导到所述透明窗口。现将描述使用此类ELA设备的结晶方法。首先,当激光产生器部分发出激光时,所述激光由反射器反射并且接着通过透明窗口,接着入射到衬底的外表面。举例来说,衬底可在其上表面上具有非晶硅层。当所述非晶硅层用激光照射时,所述非晶硅层液化并且再次固化以经历结晶,由此形成多晶硅层。在用激光照射非晶硅层的同时,使衬底水平移动以连续结晶多个衬底。因而,非晶硅层的加热和冷却速度过高。因此,结晶时间显著地短,从而引起大量晶格缺陷并且粒径减小。
<引用文献>
[专利文献1]韩国专利公开案第10-2006-0041687号
[专利文献2]韩国专利注册号第10-0935850号
发明内容
本发明提供一种用于在结晶处理之前对衬底进行预热的加热模块以及包含所述加热模块的衬底处理设备。
本发明还提供一种用于形成具有大晶体粒径和少量晶格缺陷的加热模块以及包含所述加热模块的衬底处理设备。
根据示范性实施例,一种加热模块包含:多个灯式加热器(lamp heater);下部外壳(lower housing),其经配置以容纳所述灯式加热器;窗口部分(window part),其经配置以覆盖容纳在所述下部外壳中的所述灯式加热器并且传递从所述灯式加热器发出的热;以及固定框架,其经配置以将所述窗口部分固定到所述下部外壳并且将将冲洗气体喷射到所述窗口部分的上侧。
所述固定框架可包含:主体(body),其具有框架形状;冲洗通路(purgepassage),其安置在所述主体中以接收所述冲洗气体;以及冲洗喷嘴(purgenozzle),其经配置以与所述冲洗通路连通以喷射所述冲洗气体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造