[发明专利]铟靶及其制造方法无效
| 申请号： | 201410560520.8 | 申请日： | 2011-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN104357801A | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 远藤瑶辅;坂本胜 | 申请（专利权）人： | JX日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 孙秀武;刘力 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供可良好地抑制溅射时的异常放电和所形成的膜中产生颗粒的新型的铟靶及其制造方法。铟靶含有1500个/g以下的粒径为0.5-20μm的夹杂物。 | ||
| 搜索关键词： | 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
铟靶，其含有1500个/g以下的粒径为0.5‑20 μm的夹杂物。
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