[发明专利]铟靶及其制造方法无效
| 申请号： | 201410560520.8 | 申请日： | 2011-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN104357801A | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 远藤瑶辅;坂本胜 | 申请（专利权）人： | JX日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 孙秀武;刘力 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.铟靶，其含有1500个/g以下的粒径为0.5-20 μm的夹杂物。
2.权利要求1所述的铟靶，其含有500个/g以下的粒径为0.5-20 μm的夹杂物。
3.权利要求1或2所述的铟靶，其中，上述夹杂物为选自金属、金属氧化物、碳、碳化合物、氯化合物中的1种以上。
4.权利要求3所述的铟靶，其中，上述夹杂物为选自Fe、Cr、Ni、Si、Al、Co中的1种以上的金属或其氧化物。
5.铟的制造方法，其是将铟原料在容器内熔化，经由管路向铸模供给，在铸模内进行冷却来铸造的铟的制造方法，其中，
上述容器、上述管路和上述铸模中，与上述铟原料接触的部分的表面粗糙度(Ra)为5μm以下。
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