[发明专利]铟靶及其制造方法

说明书

本申请是申请号为CN201180002727.8（国际申请日为2011年7月7日）、发明名称为“铟靶及其制造方法”的进入国家阶段的PCT申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及铟靶及其制造方法。

背景技术

以往，铟靶是通过在背板上附着铟合金等，然后向模具中浇注铟并进行铸造来制作的。这种铟靶的熔化铸造法中，存在向铸模供给的铟原料与空气中的氧反应、形成氧化物的情况，若这种绝缘性的氧化物存在于铟靶中，则在利用溅射形成薄膜时发生异常放电、在形成的薄膜中产生颗粒等的问题。

针对这种问题，专利文献1中记载：不是一次性、而是分数次将规定量的铟原料向铸模供给，除去每次生成的熔融液表面的氧化铟，然后冷却，将所得的锭料进行表面研磨，制作铟靶。并且，由此可以抑制所得的铟靶中产生氧化物。

专利文献1：日本特开2010-24474号公报。

发明内容

如上所述，以往作为抑制溅射时的异常放电和所形成的膜中产生颗粒的方法，重点在于控制铟靶中的氧浓度。这样，以往对于铟靶中存在的微量的夹杂物，并没有将其视作问题，未进行将其除去或降低的研究。

因此，本发明的课题在于提供可以良好地抑制溅射时的异常放电和所形成的膜中产生颗粒的新型的铟靶及其制造方法。

本发明人为解决上述问题进行了深入地研究，发现：溅射时异常放电的发生原因在于铟靶中所含的规定粒径的异物，通过控制该规定粒径的异物的含量，可以良好地抑制溅射时的异常放电和所形成的膜中产生颗粒。

以以上发现为基础完成的本发明的一个方面是含有1500个/g以下的粒径为0.5-20 μm的夹杂物的铟靶。

本发明的铟靶在一个实施方式中，含有500个/g以下的粒径为0.5-20μm的夹杂物。

本发明的铟靶在又一实施方式中，上述夹杂物为选自金属、金属氧化物、碳、碳化合物、氯化合物中的1种以上。

本发明的铟靶在另一实施方式中，上述夹杂物为选自Fe、Cr、Ni、Si、Al、Co中的1种以上的金属或其氧化物。

本发明的另一方面是铟的制造方法，其是将铟原料在容器内熔化，经由管路向铸模供给，在铸模内进行冷却来铸造的铟的制造方法，其中，上述容器、上述管路和上述铸模中，与上述铟原料接触的部分的表面粗糙度(Ra)为5 μm以下。

根据本发明，可提供可良好地抑制溅射时的异常放电和所形成的膜中产生颗粒的新型的铟靶及其制造方法。

附图说明

图1A是实施例1的#1的SEM/EDX分析中所得的SEM照片。

图1B是实施例1的#1的SEM/EDX分析中所得的元素分布图。

图2A是实施例1的#2的SEM/EDX分析中所得的SEM照片。

图2B是实施例1的#2的SEM/EDX分析中所得的元素分布图。

图3A是实施例1的#3的SEM/EDX分析中所得的SEM照片。

图3B是实施例1的#3的SEM/EDX分析中所得的元素分布图。

图4A是实施例1的#4的SEM/EDX分析中所得的SEM照片。

图4B是实施例1的#4的SEM/EDX分析中所得的元素分布图。

图5A是实施例1的#5的SEM/EDX分析中所得的SEM照片。

图5B是实施例1的#5的SEM/EDX分析中所得的元素分布图。

图6A是实施例1的#6的SEM/EDX分析中所得的SEM照片。

图6B是实施例1的#6的SEM/EDX分析中所得的元素分布图。

图7A是实施例1的#7的SEM/EDX分析中所得的SEM照片。

图7B是实施例1的#7的SEM/EDX分析中所得的元素分布图。

图8A是实施例1的#8的SEM/EDX分析中所得的SEM照片。

图8B是实施例1的#8的SEM/EDX分析中所得的元素分布图。

图9A是实施例1的#9的SEM/EDX分析中所得的SEM照片。

图9B是实施例1的#9的SEM/EDX分析中所得的元素分布图。

图10A是实施例1的#10的SEM/EDX分析中所得的SEM照片。

图10B是实施例1的#10的SEM/EDX分析中所得的元素分布图。

图11A是实施例1的膜滤器的SEM/EDX分析中所得的SEM照片。

图11B是实施例1的膜滤器的SEM/EDX分析中所得的元素分布图。

具体实施方式