[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201410558636.8 | 申请日： | 2014-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN104600024B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 野村昭彦 | 申请（专利权）人： | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 舒艳君;李洋 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具备设置于基板的贯通电极的且可靠性高的半导体装置及其制造方法。形成从半导体基板(10)的主面(13)到设置有导电层(16)的主面(11)贯通半导体基板的贯通孔(20)，形成从贯通孔(20)的底部经由贯通孔的侧面而延伸到主面(13)的绝缘膜(22)，至少在贯通孔的侧面的绝缘膜(22)上以及主面(13)上的绝缘膜(22)上涂覆有机部件(24)，除去有机部件(24)中的气泡以及有机部件(24)与绝缘膜(22)之间的气泡，在有机部件(24)形成开孔(25)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：/n在具有一主面、与所述一主面相反一侧的另一主面、以及设置于所述另一主面侧的导电层的半导体基板，形成从所述半导体基板的所述一主面到所述另一主面贯通所述半导体基板的贯通孔的工序；/n形成从所述贯通孔的所述另一主面侧的底部经由所述贯通孔的侧面而延伸到所述一主面的绝缘膜的工序；/n至少在所述贯通孔的侧面的所述绝缘膜上以及所述一主面上的所述绝缘膜上涂覆有机部件的工序；/n除去所述有机部件中的气泡以及所述有机部件与所述绝缘膜之间的气泡的工序；以及/n在所述有机部件形成开孔的工序，/n在所述有机部件上形成第二导电层的工序。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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