[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本发明提供一种具备设置于基板的贯通电极的且可靠性高的半导体装置及其制造方法。形成从半导体基板(10)的主面(13)到设置有导电层(16)的主面(11)贯通半导体基板的贯通孔(20)，形成从贯通孔(20)的底部经由贯通孔的侧面而延伸到主面(13)的绝缘膜(22)，至少在贯通孔的侧面的绝缘膜(22)上以及主面(13)上的绝缘膜(22)上涂覆有机部件(24)，除去有机部件(24)中的气泡以及有机部件(24)与绝缘膜(22)之间的气泡，在有机部件(24)形成开孔(25)。

技术领域

本发明涉及半导体装置及其制造方法，尤其涉及具备硅贯通电极(TSV：ThroughSilicon Via：硅通孔技术)的半导体装置及其制造方法。

背景技术

提出有各种具备经由贯通硅基板等半导体基板的贯通孔设置电极的构造的半导体装置或者其制造方法。

专利文献1：日本特开2005-19521号公报

专利文献2：日本特开2006-237594号公报

本发明者致力研究具备TSV的半导体装置及其制造方法的结果，发现了存在在设置于硅基板的贯通孔形成的绝缘膜的绝缘性变差，且由于该情况，半导体装置的可靠性变低的问题。

发明内容

本发明的主要的目的在于，提供具备设置于基板的贯通电极的且可靠性高的半导体装置及其制造方法。

根据本发明的一方式，提供有一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：

在具有一主面、与上述一主面相反一侧的另一主面、以及设置于上述另一主面侧的导电层的半导体基板，形成从上述半导体基板的上述一主面到上述另一主面贯通上述半导体基板的贯通孔的工序；

形成从上述贯通孔的上述另一主面侧的底部经由上述贯通孔的侧面而延伸到上述一主面的绝缘膜的工序；

至少在上述贯通孔的侧面的上述绝缘膜上以及上述一主面上的上述绝缘膜上涂覆有机部件的工序；

除去上述有机部件中的气泡以及上述有机部件与上述绝缘膜之间的气泡的工序；以及

在上述有机部件形成开孔的工序。

根据本发明的另一方式，提供一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板，其具有一主面、与上述一主面相反一侧的另一主面、设置于上述另一主面侧的第一导电层、以及从上述一主面到上述另一主面贯通的贯通孔；

绝缘膜，其从上述贯通孔的上述另一主面侧的底部经由上述贯通孔的侧面而延伸到上述一主面；

有机绝缘膜，其形成于在述绝缘膜上；以及

第二导电层，其形成为从上述贯通孔的上述底部沿着上述贯通孔的侧面到上述一主面，

其中，上述第二导电层在上述第二主面中的膜厚比在上述贯通孔内的膜厚更厚。

根据本发明，提供有具备设置于基板的贯通电极的且可靠性高的半导体装置及其制造方法。

附图说明

图1-1是用于对本发明的优选的第一实施方式的半导体装置的制造方法进行说明的简要纵剖视图。

图1-2是用于对本发明的优选的第一实施方式的半导体装置的制造方法进行说明的简要纵剖视图。

图1-3是用于对本发明的优选的第一实施方式的半导体装置的制造方法进行说明的简要纵剖视图。

图1-4是用于对本发明的优选的第一实施方式的半导体装置的制造方法进行说明的简要纵剖视图。