[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：

在具有一主面、与所述一主面相反一侧的另一主面、以及设置于所述另一主面侧的导电层的半导体基板，形成从所述半导体基板的所述一主面到所述另一主面贯通所述半导体基板的贯通孔的工序；

形成从所述贯通孔的所述另一主面侧的底部经由所述贯通孔的侧面而延伸到所述一主面的绝缘膜的工序；

至少在所述贯通孔的侧面的所述绝缘膜上以及所述一主面上的所述绝缘膜上涂覆有机部件的工序；

除去所述有机部件中的气泡以及所述有机部件与所述绝缘膜之间的气泡的工序；以及

在所述有机部件形成开孔的工序，

在所述有机部件上形成第二导电层的工序。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述除去气泡的工序是在真空状态下除去气泡的工序。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述除去气泡的工序是在真空状态下使用超声波来除去气泡的工序。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

还具备将形成有所述开孔的所述有机部件作为掩模在所述绝缘膜形成开孔的工序。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述有机部件上形成第二导电层的工序是将在所述一主面选择性地形成的干膜作为掩模在所述有机部件上形成第二导电层的工序。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述形成第二导电层的工序中，形成所述一主面中的膜厚比所述贯通孔内的膜厚更厚的所述第二导电层。

7.根据权利要求1～3以及5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

还具备在所述绝缘膜形成第二开孔的工序，所述第二开孔在所述贯通孔的所述底部露出所述导电层，

所述形成贯通孔的工序是形成露出所述导电层的所述贯通孔的工序，

所述形成绝缘膜的工序是形成从在所述贯通孔的所述另一主面侧的底部露出的所述导电层上经由所述贯通孔的侧面而延伸到所述一主面的所述绝缘膜的工序，

所述涂覆有机部件的工序是在所述贯通孔的所述底部露出的所述导电层上、所述贯通孔的侧面的所述绝缘膜上、以及所述一主面上的所述绝缘膜上涂覆有机部件的工序，

所述在有机部件形成开孔的工序是在所述有机部件形成所述开孔的工序，所述开孔在所述贯通孔的所述底部露出所述导电层。

8.根据权利要求1～3以及5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

还具备在所述绝缘膜形成露出所述导电层的第二开孔的工序，

所述形成贯通孔的工序是形成露出所述导电层的所述贯通孔的工序，

所述形成绝缘膜的工序是形成从在所述贯通孔的所述另一主面侧的底部露出的所述导电层上经由所述贯通孔的侧面而延伸到所述一主面的所述绝缘膜的工序，

所述在有机部件形成开孔的工序是在所述有机部件形成露出所述绝缘膜的所述开孔的工序，

所述在绝缘膜形成露出所述导电层的第二开孔的工序是将形成有露出所述绝缘膜的所述开孔的所述有机部件成为掩模，在所述绝缘膜形成露出所述导电层的第二开孔的工序。

9.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述贯通孔的底部的所述有机部件为圆弧形状。