[发明专利]一种α-NaYF4单晶体的生长方法

摘要

本发明公开了一种α-NaYF₄单晶体的生长方法，特点是其经过步骤(1)～(4)后得到α-NaYF₄单晶体，且在步骤(1)中加入KF作为助溶剂，在步骤(2)中对原料进行780～800℃高温HF处理1～5小时，在步骤(3)中对Pt坩埚进行密封Pt坩埚，在步骤(4)中用助溶剂坩埚下降法生长晶体，生长晶体的参数为：将密封的Pt坩埚置于硅钼棒炉中，用坩埚下降法生长晶体，生长晶体的参数为：炉体温度为950～980℃，接种温度为820～860℃，固液界面的温度梯度为50～90℃/cm，坩锅下降速度为0.2～2.0mm/h，在晶体生长结束后，以20～80℃/h下降炉温至室温，这样能得到较大和质量较高的α-NaYF₄单晶体，优点是该晶体在200～8700nm波段的透过率均在80％以上，因此α-NaYF₄晶体在中红外光学器件中将有较大的应用前景。

主权项

一种α‑NaYF₄单晶体的生长方法，其特征在于包括下述步骤：1)、按摩尔比1～2.40∶1∶2.24～3.40，把NaF、KF、YF₃原料置于碾磨器中，碾磨混合5～6h，得到均匀粉末的混合料；2)、将上述混合料置于铂金坩锅中，铂金坩锅安装于管式电阻炉的铂金管道中，然后用N₂气排除铂金管道中的空气，在温度780～800℃，通HF气下，反应处理1～5小时，反应处理结束，关闭HF气体与管式电阻炉，用N₂气清洗管道中残留的HF气体，所有经管道尾端的残余HF气体由NaOH溶液回收，最终得到多晶粉料；3)、以KF作为助熔剂，采用密封坩锅下降法进行晶体生长，将上述多晶粉料置于碾磨器磨成粉末，然后置于Pt坩埚中并压实，密封P_t坩埚；4)、将密封的Pt坩埚置于硅钼棒炉中，用坩埚下降法生长晶体，生长晶体的参数为：炉体温度为950～980℃，接种温度为820～860℃，固液界面的温度梯度为50～90℃/cm，坩锅下降速度为0.2～2.0mm/h，在晶体生长结束后，以20～80℃/h下降炉温至室温，得到α‑NaYF₄单晶体。