[发明专利]半导体封装件及其制法有效

专利信息
申请号: 201410552457.3 申请日: 2014-10-17
公开(公告)号: CN105448899B 公开(公告)日: 2018-11-23
发明(设计)人: 邱志贤;方颢儒;钟兴隆;张卓兴;蔡宗贤;陈嘉扬;柯俊吉 申请(专利权)人: 矽品精密工业股份有限公司
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L23/31;H01L23/552;H01L21/56
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种半导体封装件及其制法,该封装件包括:表面具有多个半导体元件的基板、覆盖于该基板与各该半导体元件上的封装胶体、以及形成于该封装胶体的外露表面上的金属层,该封装胶体具有第一沟槽以划分多个封装单元,令每一个封装单元具有一个半导体元件,且该金属层沿该第一沟槽的壁面布设,以于对应该第一沟槽处形成具有金属表面的第二沟槽,使每一封装单元之间形成多层隔离结构,如金属层与空气层,藉以提升各该封装单元间的屏蔽效果。
搜索关键词: 半导体 封装 及其 制法
【主权项】:
1.一种半导体封装件,包括:基板,其具有相对的第一表面及第二表面;多个半导体元件,其设置且电性连接于该基板的第一表面上;封装胶体,其覆盖于该基板的第一表面与各该半导体元件上,且该封装胶体具有至少一第一沟槽,以于该基板上划分多个封装单元,令每一个该封装单元具有至少一个该半导体元件;金属层,其形成于该基板与封装胶体上并包覆各该封装单元的周围,且该基板的第二表面外露于该金属层,其中,该金属层沿该第一沟槽的壁面布设,以于对应该第一沟槽处形成具有金属表面的第二沟槽;以及填充材,其填充于该第二沟槽中,该填充材为导电材,且该填充材的导电性低于该金属层的导电性。
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