[发明专利]一种晶片研磨方法有效
| 申请号： | 201410546452.X | 申请日： | 2014-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN104282545A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 易德福;吴城 | 申请（专利权）人： | 易德福 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/11 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 100000 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶片研磨方法，通过塑料薄膜的使用可以研磨出具有微凹或者微凸等特殊形状的晶片，满足某些客户的特定工艺需求。并且所选用的塑料薄膜的成本极低，生产操作简单，适于工业生产。同时可以根据客户的不同需求选择具有不同形状和数量的塑料薄膜来改变晶片的凹凸程度，具有极大地灵活性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 研磨 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片研磨方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：将n层厚度在微米级的塑料薄膜贴覆在陶瓷盘上，其中n为大于或者等于1的整数，所述塑料薄膜为圆形的；S2：以所述塑料薄膜的圆心为中心贴上晶片模板；S3：将晶片贴在所述晶片模板上，进行研磨和抛光，其中所述晶片模板与所述晶片的直径大小相等。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
