[发明专利]一种晶片研磨方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体晶片加工技术领域，具体地是涉及一种晶片研磨方法。

背景技术

目前常规半导体晶片的后道生产加工多采用“机械研磨+化学机械抛光(CMP)”工艺，即将晶片模板贴在陶瓷盘和晶片之间进行研磨和抛光，此方法加工完成之后的晶片表面平整度一般在5微米之内，晶片的最高点和最低点均在晶片边缘，两者均偏离晶片中心。而随着半导体行业衬底材料长外延技术的发展，对衬底晶片的要求越来越高。某些特定的长外延工艺，要求衬底晶片主面中心的厚度高于或低于四周几个微米，即晶片主面呈微凸或微凹形状。

针对某些企业特殊工艺中要求晶片特定位置呈微凹或微凸的生产工艺，上述方法并不适用，因此亟需在现有工艺的基础上设计一种新工艺，以便解决上述问题。

发明内容

本发明旨在提供一种针对具有微凹或者微凸等特殊形状的晶片研磨方法。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：

一种晶片研磨方法，包括如下步骤：

S1：将n层厚度在微米级的塑料薄膜贴覆在陶瓷盘上，其中n为大于或者等于1的整数，所述塑料薄膜为圆形的；

S2：以所述塑料薄膜的圆心为中心贴上晶片模板；

S3：将晶片贴在所述晶片模板上，进行研磨和抛光，其中所述晶片模板与所述晶片的直径大小相等。

优选地，所述塑料薄膜为圆形塑料薄膜，所述圆形塑料薄膜的直径小于所述晶片的直径。

优选地，所述塑料薄膜为环形塑料薄膜，所述环形塑料薄膜的外圈直径等于所述晶片的直径。

优选地，所述塑料薄膜为聚乙烯塑料薄膜。

优选地，所述步骤S3中具体包括将晶片贴在所述晶片模板上，进行手工研磨和机械抛光。

优选地，所述步骤S3中具体包括将晶片贴在所述晶片模板上，进行机械研磨和机械抛光。

优选地，每一所述塑料薄膜的厚度为3-8微米。

优选地，每一所述塑料薄膜的厚度为4微米。

采用上述技术方案，本发明至少包括如下有益效果：

本发明所述的晶片研磨方法，通过塑料薄膜的使用可以研磨出具有微凹或者微凸等特殊形状的晶片，满足某些客户的特定工艺需求。并且所述塑料薄膜的成本极低，生产操作简单，适于工业生产。同时可以根据客户的不同需求选择具有不同形状和数量的塑料薄膜来改变晶片的凹凸程度，具有极大地灵活性。

附图说明

图1为本发明所述的晶片研磨方法的流程图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。

如图1所示，为符合本发明的一种晶片研磨方法，包括如下步骤：

S1：将n层厚度在微米级的塑料薄膜贴覆在陶瓷盘上，其中n为大于或者等于1的整数，所述塑料薄膜为圆形的；

S2：以所述塑料薄膜的圆心为中心贴上晶片模板；

S3：将晶片贴在所述晶片模板上，进行研磨和抛光，其中所述晶片模板与所述晶片的直径大小相等。

本实施例主要针对某些客户的特定工艺需求进行的晶片研磨，特定工艺需求包括晶片特定位置呈微凹或微凸形状。经过本实施例所述的研磨方法后获得所述晶片表面为镜面，即表面平整度非常好。但是由于所述晶片的中心垫有n(n≥1)层塑料薄膜，所述晶片中心可以呈现微凸状或者微凹状或者其他形状。然后将所述晶片从所述晶片模板上取下后，所述晶片的中心由于微观弹性形变的恢复，晶片表面可以呈现出客户需要的特定形状。

在一优选实施例中所述塑料薄膜为圆形塑料薄膜，所述圆形塑料薄膜的直径小于所述晶片的直径。抛光之后的晶片表面为镜面，表面平整度非常好，由于所述晶片的中心垫有n(n≥1)层圆形塑料薄膜，所述晶片中心呈微凸状。将所述晶片从所述晶片模板上取下后，所述晶片中心由于微观弹性形变的恢复，所述晶片的表面呈微凹形状。

在另一优选实施例中所述塑料薄膜为环形塑料薄膜，所述环形塑料薄膜的外圈直径等于所述晶片的直径。抛光之后的晶片表面为镜面，表面平整度非常好，由于所述晶片的中心垫有n(n≥1)层环形塑料薄膜，所述晶片中心呈微凹状。将所述晶片从所述晶片模板上取下后，所述晶片中心由于微观弹性形变的恢复，所述晶片的表面呈微凸状。

当然所述塑料薄膜还可以定制为其他形状，以满足客户对晶片特殊位置的特殊要求。由于所述塑料薄膜的形状定制为现有技术手段，本领域技术人员可以获知，故此处不再赘述。