[发明专利]一种晶片研磨方法有效
| 申请号： | 201410546452.X | 申请日： | 2014-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN104282545A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 易德福;吴城 | 申请（专利权）人： | 易德福 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/11 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 100000 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 研磨 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶片研磨方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：将n层厚度在微米级的塑料薄膜贴覆在陶瓷盘上，其中n为大于或者等于1的整数，所述塑料薄膜为圆形的；
S2：以所述塑料薄膜的圆心为中心贴上晶片模板；
S3：将晶片贴在所述晶片模板上，进行研磨和抛光，其中所述晶片模板与所述晶片的直径大小相等。
2.如权利要求1所述的晶片研磨方法，其特征在于：所述塑料薄膜为圆形塑料薄膜，所述圆形塑料薄膜的直径小于所述晶片的直径。
3.如权利要求1所述的晶片研磨方法，其特征在于：所述塑料薄膜为环形塑料薄膜，所述环形塑料薄膜的外圈直径等于所述晶片的直径。
4.如权利要求1-3任一所述的晶片研磨方法，其特征在于：所述塑料薄膜为聚乙烯塑料薄膜。
5.如权利要求1-4任一所述的晶片研磨方法，其特征在于：所述步骤S3中具体包括将晶片贴在所述晶片模板上，进行手工研磨和机械抛光。
6.如权利要求1-4任一所述的晶片研磨方法，其特征在于：所述步骤S3中具体包括将晶片贴在所述晶片模板上，进行机械研磨和机械抛光。
7.如权利要求1-6任一所述的晶片研磨方法，其特征在于：每一所述塑料薄膜的厚度为3-8微米。
8.如权利要求1-7任一所述的晶片研磨方法，其特征在于：每一所述塑料薄膜的厚度为4微米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
