[发明专利]MTP器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410535258.1 | 申请日： | 2014-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN105514108B | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 施森华;胡王凯 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种MTP器件及其制造方法。该MTP器件包括逻辑电路区和外围电路区，逻辑电路区包括逻辑单元和电容器单元，电容器单元包括：P阱，设置在P型半导体衬底中；浅沟槽隔离结构，设置在P阱中；N型扩散区，设置在浅沟槽隔离结构两侧的P阱中，N型扩散区的深度小于浅沟槽隔离结构的深度。与现有技术相同N型扩散区也是作为电容器的一个极板使用，电容器单元中相邻电容器的N型扩散区之间完全被浅沟槽隔离结构隔离，避免了形成于N阱中导致N阱为漏电流形成通道的弊端；同时，电容器的P阱还实现了N型扩散区与P型半导体衬底的绝缘，因此即使相邻电容器在编程时所承受的电压不同，其间距进一步缩小后也能够避免漏电流的产生。 | ||
| 搜索关键词： | mtp 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MTP器件，包括逻辑电路区和外围电路区，所述逻辑电路区包括逻辑单元和电容器单元，其特征在于，所述电容器单元包括：P阱，设置在P型半导体衬底中；浅沟槽隔离结构，设置在所述P阱中；N型扩散区，设置在所述浅沟槽隔离结构两侧的所述P阱中，所述N型扩散区的深度小于所述浅沟槽隔离结构的深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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