[发明专利]MTP器件及其制造方法

权利要求书

1.一种MTP器件，包括逻辑电路区和外围电路区，所述逻辑电路区包括逻辑单元和电容器单元，其特征在于，所述电容器单元包括：

P阱，设置在P型半导体衬底中；

浅沟槽隔离结构，设置在所述P阱中；

N型扩散区，设置在所述浅沟槽隔离结构两侧的所述P阱中，所述N型扩散区的深度小于所述浅沟槽隔离结构的深度。

2.根据权利要求1所述的MTP器件，其特征在于，所述N型扩散区的深度为所述浅沟槽隔离结构的深度的30～80％。

3.根据权利要求1所述的MTP器件，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构的特征尺寸为0.3～1.2μm。

4.根据权利要求1所述的MTP器件，其特征在于，所述N型扩散区中的N型离子为剂量为1E14～5E14atoms/cm³的磷或砷。

5.一种MTP器件的制造方法，所述MTP器件包括逻辑电路区和外围电路区，所述逻辑电路区包括逻辑单元和电容器单元，其特征在于，所述制造方法包括：

步骤S1，在P型半导体衬底中形成浅沟槽隔离结构；

步骤S2，在所述P型半导体衬底表面上形成牺牲氧化层；

步骤S3，对所述P型半导体衬底进行P型离子注入，形成所述逻辑单元的P阱和所述电容器单元的P阱；

步骤S4，对所述P型半导体衬底进行N型离子注入，形成所述外围电路区的N阱；

步骤S5，对所述电容器单元的P阱进行N型重掺杂，形成所述电容器单元的N型扩散区，所述N型重掺杂的掺杂深度小于所述浅沟槽隔离结构的深度；

步骤S6，去除所述牺牲氧化层。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述N型重掺杂的掺杂深度为所述浅沟槽隔离结构的深度的30～80％。

7.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述步骤S3包括：

在所述牺牲氧化层上设置第一光刻胶层；

对所述第一光刻胶层进行光刻，形成第一光刻胶掩膜，所述第一光刻胶掩膜在对应所述逻辑单元的区域和所述电容器单元的区域均具有开口；

在所述第一光刻胶掩膜的保护下，对所述P型半导体衬底进行P型离子注入，形成所述逻辑单元的P阱和所述电容器单元的P阱。

8.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述步骤S4包括：

在所述牺牲氧化层上设置第二光刻胶层；

对所述第二光刻胶层进行光刻，形成第二光刻胶掩膜，所述第二光刻胶掩膜在对应所述电容器单元的区域保持完整；

在所述第二光刻胶掩膜的保护下，对所述P型半导体衬底进行N型离子注入，形成所述外围电路区的N阱。

9.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述步骤S5包括：

在所述牺牲氧化层上设置第三光刻胶；

对所述第三光刻胶进行光刻，形成第三光刻胶掩膜，所述第三光刻胶掩膜在对应所述电容器单元的所述P阱位置具有开口；

在所述第三光刻胶掩膜的保护下，对所述P阱进行N型重掺杂，形成所述电容器单元的N型扩散区。

10.根据权利要求5或9所述的制造方法，其特征在于，所述步骤S5中N型重掺杂为砷重掺杂，且掺杂过程中砷的能量为30～50KeV，剂量为1E14～5E14atoms/cm³。

11.根据权利要求5或9所述的制造方法，其特征在于，所述步骤S5中N型重掺杂为磷重掺杂，且掺杂过程中磷的能量为15～25KeV，剂量为1E14～5E14atoms/cm³。