[发明专利]基于二极管选择的存储器的快速读取方法

摘要

本发明涉及一种半导体存储器，旨在提供一种针对基于二极管选通存储器的快速读取方法。基于二极管选择的存储器处于读等待状态时，位线偏置处于电压1，而字线偏置处于电压2，并且满足电压1等于电压2或者电压1略大于电压2，从而使位线和字线之间的二极管处于零偏置或者反偏置状态，当需要对存储单元进行读操作时，感应节点无需进行预充电，仅需要将字线偏置设置为低电压，由于二极管是二端器件，仅会向一端的字线放电，位线会保持很短的时间，而感应放大器也会事先处于预处理的状态，从而能够以最快速度读出存储单元的数据。

主权项

一种基于二极管选择的存储器的读取方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、在存储单元处于等待读取阶段，将存储器每条位线均偏置至第一电压值，和将存储器每条字线均偏置至第二电压值，设定第二电压值不低于第一电压值并迫使存储单元中耦合在字线与位线间的二极管被钳制于零偏置或反偏置状态；步骤S2、拉低一被选中读取的存储单元之二极管阴极端所耦合的字线的电位，同步感应被选中读取的存储单元之二极管阳极端所耦合的位线的电位变化，读出被选中读取的存储单元所存储的数据信息。