[发明专利]基于二极管选择的存储器的快速读取方法

权利要求书

1.一种基于二极管选择的存储器的读取方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、在存储单元处于等待读取阶段，将存储器每条位线均偏置至第一电压值，和将存储器每条字线均偏置至第二电压值，设定第二电压值不低于第一电压值并迫使存储单元中耦合在字线与位线间的二极管被钳制于零偏置或反偏置状态；

步骤S2、拉低一被选中读取的存储单元之二极管阴极端所耦合的字线的电位，同步感应被选中读取的存储单元之二极管阳极端所耦合的位线的电位变化，读出被选中读取的存储单元所存储的数据信息。

2.权利要求1所述的方法，其特征在于，被选中读取的存储单元耦合在第一字线和第一位线间，其二极管阴极端连接到第一字线；在步骤S2中：

当感应出第一位线电位由第一电压值下降，二极管阳极端设为实连于第一位线，籍此读出被选中读取的存储单元存储的第一逻辑态；或者

当感应出第一位线电位被维持在第一电压值水准，二极管阳极端设为虚连于第一位线，籍此读出被选中读取的存储单元存储的与第一逻辑态相反的第二逻辑态。

3.权利要求2所述的方法，其特征在于，在存储单元存储第一逻辑态的条件下，第一字线在一个放电时间段T1内由第二电压值降低至第三电压值；以及

在放电时间段T1结束后紧接着的一个维持时间段T2内第一位线仍然持续保持第一电压值，直至维持时间段T2结束后第一位线开始放电，并在维持时间段T2结束后紧接着的一个放电时间段T3内第一位线完成放电；

在第一位线开始放电后但完成放电前的一个时间节点上，一个感应放大器感应出第一位线的电位变化并输出翻转信号。

4.权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一电压值比存储单元中二极管的正向开启阈值大0.2～1V。

5.权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤S2中，拉低选中读取的存储单元之二极管阴极端所耦合的字线的电位至为零电位的第三电压值。

6.一种基于二极管选择的存储器的读取方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、在具第一、第二二极管的2D存储单元处于等待读取阶段，将存储器每条位线均偏置至第一电压值，及将存储器每条字线均偏置至第二电压值，设定第二电压值不低于第一电压值及迫使2D存储单元中耦合在字线与位线间的第一、第二二极管皆被钳制于零偏置或反偏置状态；

步骤S2、拉低一被选中读取的2D存储单元中第一、第二二极管各自阴极端所耦合的公共字线的电位，同步感应被选中读取的2D存储单元中第一、第二二极管各自阳极端所分别耦合的两个不同位线上的电位变化幅度，读出被选中读取的2D存储单元所存储的数据信息。

7.权利要求6所述的方法，其特征在于，2D存储单元中第一、第二二极管各自的阴极端连接到一个公共的第一字线，第一、第二二极管分别储存两个互补的逻辑数据；

当第一二极管阳极端设为实连于第一位线而第二二极管阳极端设为虚连于第二位线，感应出第一位线电位下降幅度大于第二位线电位变化幅度，读出第一二极管存储的第一逻辑态和第二二极管的第二逻辑态；或者

当第一二极管阳极端设为虚连于第一位线而第二二极管阳极端设为实连于第二位线，感应出第一位线电位变化幅度小于第二位线电位下降幅度，读出第一二极管存储的第二逻辑态和第二二极管的第一逻辑态。

8.一种基于二极管选择的存储器的读取方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、在具一个二极管和一个相变电阻的1D1R存储单元处于等待读取阶段，将存储器每条位线均偏置至第一电压值，及将存储器每条字线均偏置至第二电压值，每个1D1R存储单元具有相互串接的一个二极管和一个相变电阻；

设定第二电压值不低于第一电压值并迫使1D1R存储单元中耦合在字线与位线间的二极管被钳制于零偏置或反偏置状态；

步骤S2、拉低一被选中读取的1D1R存储单元之二极管阴极端所耦合的字线的电位，同步感应流经被选中读取的1D1R存储单元中相变电阻一端所耦合的位线的电流大小，读出被选中读取的1D1R存储单元所存储的数据信息。