[发明专利]钨电极的形成方法在审
| 申请号： | 201410521989.0 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN105448693A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 徐建华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种钨电极的形成方法，包括：在半导体基底内形成第一开口，在所述第一开口的侧壁和底部以及所述半导体基底表面形成钨层后，去除半导体基底表面的钨层，至少保留第一开口底部的部分的钨层；之后以所述第一开口内剩余钨层作为成核层继续形成钨，以填充满第一开口。去除第一开口表面的钨后，在以所述第一开口内剩余钨层作为成核层继续形成钨的过程中，无法在半导体基底表面形成钨，从而避免第一开口被位于半导体基底表面的钨封堵，使得反应气体无法进入第一开口内的问题，进而减少形成于开口中的钨内的空隙的数量和体积，提高钨电极的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种钨电极的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，在所述半导体基底内形成第一开口；在所述第一开口的侧壁和底部以及所述半导体基底表面形成钨层；去除所述半导体基底表面的钨层，至少保留位于所述第一开口底部的部分厚度的钨层；以所述第一开口内剩余钨层作为成核层继续形成钨，至填充满所述第一开口，形成钨电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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