[发明专利]钨电极的形成方法

权利要求书

1.一种钨电极的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体基底，在所述半导体基底内形成第一开口；

在所述第一开口的侧壁和底部以及所述半导体基底表面形成钨层；

去除所述半导体基底表面的钨层，至少保留位于所述第一开口底部的部分厚度的钨层；

以所述第一开口内剩余钨层作为成核层继续形成钨，至填充满所述第一开口，形成钨电极。

2.如权利要求1所述的钨电极的形成方法，其特征在于，在所述第一开口的侧壁和底部以及所述半导体基底表面形成钨层的步骤包括：

所述钨层填充所述第一开口；

去除所述半导体基底表面的钨层，至少保留位于所述第一开口底部的部分厚度的钨层的步骤包括：

采用干法刻蚀去除所述半导体基底表面的钨层，并且在所述第一开口的钨层内形成第二开口。

3.如权利要求2所述的钨电极的形成方法，其特征在于，所述第二开口的深宽比小于所述第一开口的深宽比。

4.如权利要求2所述的钨电极的形成方法，其特征在于，所述第二开口的顶端开口尺寸大于底部开口尺寸。

5.如权利要求2所述的钨电极的形成方法，其特征在于，去除所述半导体基底表面的钨层的步骤为：采用干法刻蚀去除所述半导体基底表面的钨层。

6.如权利要求5所述的钨电极的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀的刻蚀气体流量为3～40sccm。

7.如权利要求5述的钨电极的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀的温度为30～100℃，功率为300～900W，气压为0.1～1torr。

8.如权利要求5所述的钨电极的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀的刻蚀气体包括NF₃。

9.如权利要求1所述的钨电极的形成方法，其特征在于，以所述第一开口内剩余钨层作为成核层继续形成钨的步骤包括：采用热化学气相沉积法，以所述第一开口内剩余钨层作为成核层继续形成钨。

10.如权利要求9所述的钨电极的形成方法，其特征在于，所述热化学气相沉积法的工艺包括：

以H₂和WF₆作为反应气体，气压为20～60torr，温度为350～450℃。

11.如权利要求10所述的钨电极的形成方法，其特征在于，所述H₂与WF₆的流量比为10:1～30:1。

12.如权利要求10所述的钨电极的形成方法，其特征在于，所述H₂的流量为5000～15000sccm，WF₆的流量为200～600sccm。

13.如权利要求1所述的钨电极的形成方法，其特征在于，在所述第一开口的侧壁和底部以及所述半导体基底表面形成钨层的步骤包括：在所述第一开口的侧壁和底部以及所述半导体基底表面形成成核层；之后，在所述成核层的基础上继续形成钨，以形成所述钨层。

14.如权利要求13所述的钨电极的形成方法，其特征在于，所述成核层的形成方法为热化学气相沉积法，所述热化学气相沉积法包括以B₂H₆和WF₆作为反应气体。

15.如权利要求14所述的钨电极的形成方法，其特征在于，形成所述成核层的热化学气相沉积法的工艺参数包括：气压为20～60torr，温度为250～350℃，B₂H₆的流量为200～500sccm，WF₆的流量为150～350sccm。

16.如权利要求14所述的钨电极的形成方法，其特征在于，所述B₂H₆与WF₆的流量比为1:1～2:1。

17.如权利要求14所述的钨电极的形成方法，其特征在于，所述反应气体还包括H₂。

18.如权利要求1所述的钨电极的形成方法，其特征在于，在形成第一开口后，形成所述钨层前，所述钨电极的形成方法还包括：

在所述第一开口的侧壁和底部形成扩散阻挡层。