[发明专利]具有低基板电耦合效应的微机电元件有效
| 申请号： | 201410513985.8 | 申请日： | 2014-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN105523518B | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 蔡明翰;徐新惠 | 申请（专利权）人： | 原相科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 陈肖梅,谢丽娜 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有低基板电耦合效应的微机电元件，通过一CMOS半导体制程所制作，其中包含一基板；至少一锚部，包含一氧化层、以及位于该氧化层上方的连接结构，该氧化层与该基板连接；以及至少一微机电结构，连接于该连接结构。该氧化层的制作步骤与厚度对应于CMOS半导体制程中定义晶体管元件区的场氧化区。该连接结构至少其中一层的出平面投影面积小于该氧化层的出平面投影面积。该基板面向该微机电结构的一侧设有多个凹状结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 低基板电 耦合 效应 微机 元件 | ||
【主权项】：
一种微机电元件，通过一CMOS半导体制程所制作，在该CMOS半导体制程中，也制作了一CMOS电路中的晶体管元件，此晶体管元件的元件区由场氧化层所定义，其特征在于，该微机电元件包含：一基板；至少一锚部，包含一氧化层、以及位于该氧化层上方的连接结构，其中该氧化层与该场氧化层以相同的制程步骤制作而具有相对应的厚度，该氧化层与该基板连接；以及至少一微机电结构，连接于该锚部的该连接结构；其中，该连接结构为多层结构，其中至少有一层的出平面投影面积小于该氧化层的出平面投影面积。
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