[发明专利]具有低基板电耦合效应的微机电元件

权利要求书

1.一种微机电元件，通过一CMOS半导体制程所制作，在该CMOS半导体制程中，也制作了一CMOS电路中的晶体管元件，此晶体管元件的元件区由场氧化层所定义，其特征在于，该微机电元件包含：

一基板；

至少一锚部，包含一氧化层、以及位于该氧化层上方的连接结构，其中该氧化层与该场氧化层以相同的制程步骤制作而具有相对应的厚度，该氧化层与该基板连接；以及

至少一微机电结构，连接于该锚部的该连接结构；

其中，该连接结构为多层结构，其中至少有一层的出平面投影面积小于该氧化层的出平面投影面积。

2.如权利要求1所述的微机电元件，其中，该连接结构包含对应于该CMOS半导体制程的至少一内连线通道层、至少一内连线金属层及至少一内连线通道层，且这些内连线层的出平面投影面积皆小于该氧化层的出平面投影面积。

3.如权利要求1所述的微机电元件，其中，该基板包含多个凹状结构，该多个凹状结构设于该基板面向于该微机电结构的一侧。

4.一种微机电元件，其特征在于，包含：

一基板；

至少一锚部，包含一氧化层、以及位于该氧化层上方的连接结构，该氧化层与该基板连接；

至少一微机电结构，连接于该锚部的该连接结构；

其中，该连接结构为多层结构，其中至少有一层的出平面投影面积小于该氧化层的出平面投影面积。

5.如权利要求4所述的微机电元件，其中，该微机电元件通过一CMOS半导体制程所制作，又其中该连接结构包含对应于该CMOS半导体制程的至少一内连线通道层、至少一内连线金属层及至少一内连线通道层，且这些内连线层的出平面投影面积皆小于该氧化层的出平面投影面积。

6.一种微机电元件，其特征在于，包含：

一基板，包含多个凹状结构；

至少一锚部，包含一氧化层、以及位于该氧化层上方的连接结构，该氧化层与该基板连接；

至少一微机电结构，连接于该锚部的该连接结构；

其中，该多个凹状结构设于该基板面向于该微机电结构的一侧、对应于该微机电结构的位置，该连接结构为多层结构，其中至少有一层的出平面投影面积小于该氧化层的出平面投影面积。

7.如权利要求6所述的微机电元件，其中，该微机电元件通过一CMOS半导体制程所制作，又其中该连接结构包含对应于该CMOS半导体制程的至少一内连线通道层、至少一内连线金属层及至少一内连线通道层，且这些内连线层的出平面投影面积皆小于该氧化层的出平面投影面积。