[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201410513483.5 申请日: 2014-09-29
公开(公告)号: CN104517994B 公开(公告)日: 2018-06-22
发明(设计)人: 丁相哲;金旼炷 申请(专利权)人: 乐金显示有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 披露了一种能够简化制造工艺并减少差错的有机发光二极管(OLED)显示装置及其制造方法。所述有机发光二极管显示装置包括其上形成有有机发光二极管(OLED)的基板、覆盖有机发光二极管的第一无机薄层、覆盖第一无机薄层的具有有机层特性的有机沉积层以及覆盖有机沉积层的第二无机薄层。
搜索关键词: 有机发光二极管 无机薄层 有机发光二极管显示装置 有机沉积 覆盖 简化制造工艺 显示装置 有机层 基板 制造 差错
【主权项】:
1.一种有机发光二极管显示装置,包括:基板,其上形成有有机发光二极管;第一无机薄层,设置为覆盖所述有机发光二极管;沉积层,设置为具有有机层特性且覆盖所述第一无机薄层;以及第二无机薄层,设置为覆盖所述沉积层,其中所述第一无机薄层、所述沉积层和所述第二无机薄层是通过相同的工艺形成的;所述沉积层包括含有碳的SiOC层或含有碳或氧的SiOCH层;所述沉积层具有包括第一层和第二层的双层结构,所述第一层具有比第二层更高的碳含量,其中所述沉积层通过引起聚合物单体的化学反应而形成,其中所述聚合物单体包括以下之一:HMDSO、TMDSO、TMMOS(CH3)3SiOCH3、BTMSM、TEOS、DVTMDSO[(CH3)2ViSi‑O‑SiVi(CH3)2]和OMCATS,并且所述聚合物单体与O2和H2之一进行化学反应。
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