[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种有机发光二极管显示装置，包括：

基板，其上形成有有机发光二极管；

第一无机薄层，设置为覆盖所述有机发光二极管；

沉积层，设置为具有有机层特性且覆盖所述第一无机薄层；以及

第二无机薄层，设置为覆盖所述沉积层，

其中所述第一无机薄层、所述沉积层和所述第二无机薄层是通过相同的工艺形成的；

所述沉积层包括含有碳的SiOC层或含有碳或氧的SiOCH层；

所述沉积层具有包括第一层和第二层的双层结构，所述第一层具有比第二层更高的碳含量，

其中所述沉积层通过引起聚合物单体的化学反应而形成，

其中所述聚合物单体包括以下之一：HMDSO、TMDSO、TMMOS(CH₃)₃SiOCH₃、BTMSM、TEOS、DVTMDSO[(CH₃)₂ViSi-O-SiVi(CH₃)₂]和OMCATS，并且

所述聚合物单体与O₂和H₂之一进行化学反应。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中所述沉积层的厚度为1μm至10μm。

3.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中所述沉积层的第一层形成为所述沉积层总厚度的70％或更少，所述沉积层的第二层形成为所述沉积层总厚度的30％或更多。

4.一种制造有机发光二极管显示装置的方法，所述方法包括：

在基板上形成有机发光二极管；

形成第一无机薄层，以覆盖所述有机发光二极管；

形成具有有机层特性的沉积层，以覆盖所述第一无机薄层；以及

形成第二无机薄层，以覆盖所述沉积层，

其中所述第一无机薄层、所述沉积层和所述第二无机薄层是通过相同的工艺形成的；

所述沉积层包括含有碳的SiOC层或含有碳或氧的SiOCH层；

所述沉积层具有包括第一层和第二层的双层结构，所述第一层具有比第二层更高的碳含量，

其中所述沉积层的形成包括在所述第一无机薄层上沉积通过引起聚合物单体的化学反应而形成的层，

其中所述聚合物单体包括以下之一：HMDSO、TMDSO、TMMOS(CH₃)₃SiOCH₃、BTMSM、TEOS、DVTMDSO[(CH₃)₂ViSi-O-SiVi(CH₃)₂]和OMCATS，并且

所述聚合物单体与O₂和H₂之一进行化学反应。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述沉积层的形成包括于所述第一无机薄层上形成所述沉积层以具有1μm至10μm的厚度。

6.如权利要求4所述的方法，进一步包括，在形成所述沉积层之后，对所述沉积层进行固化。

7.如权利要求4所述的方法，其中，

所述沉积层的形成包括：

在所述第一无机薄层上形成所述沉积层的所述第一层；以及

在所述第一层上形成所述沉积层的所述第二层。

8.如权利要求4所述的方法，其中，

形成所述第一层以具有30％至50％的碳含量，并且

形成所述第二层以具有0％至30％的碳含量。

9.如权利要求7所述的方法，其中所述第一层形成为所述沉积层总厚度的70％或更少。

10.如权利要求7所述的方法，其中所述第二层形成为所述沉积层总厚度的30％或更多。

11.如权利要求4所述的方法，其中所述第一无机薄层、所述沉积层和所述第二无机薄层是通过化学气相沉积工艺或等离子体增强化学气相沉积形成的。