[发明专利]用于检验显影能力的光罩及显影能力的检验方法有效
| 申请号： | 201410510063.1 | 申请日： | 2014-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN105527792B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 叶逸舟;朱晓峥;杨晓松 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F1/84;G03F7/20 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 屈蘅;李时云<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种用于检验显影能力的光罩及显影能力的检验方法。所述光罩包括多个曝光区，所述曝光区的面积依次增大。所述显影能力的检验方法包括利用所述的光罩对晶圆进行光刻工艺，并观察所述晶圆上出现的光阻残留缺陷，以判断显影设备的显影能力。本发明的方法操作简单，避免了其他因素对显影能力的干扰，因此可靠性强。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 检验 显影 能力 方法 | ||
【主权项】：
1.一种显影能力的检验方法，其特征在于，利用一包括多个曝光区的光罩，所述多个曝光区的面积依次增大，包括：/n提供一晶圆；/n在所述晶圆上涂敷光阻；/n利用所述光罩对所述晶圆进行曝光；/n对所述晶圆进行显影；以及/n观察所述晶圆上出现的光阻残留缺陷，并依照面积从小到大的顺序，检验各个所述曝光区位置的光阻残留缺陷，以通过观察所述晶圆的光阻残留缺陷开始出现的曝光区来判断显影能力；在曝光参数不变的情况下，所述光阻残留缺陷自面积越小的曝光区开始出现，则显影能力越弱，所述光阻残留缺陷自面积越大的曝光区开始出现，则显影能力越强。/n
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
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