[发明专利]用于检验显影能力的光罩及显影能力的检验方法

说明书

本发明揭示了一种用于检验显影能力的光罩及显影能力的检验方法。所述光罩包括多个曝光区，所述曝光区的面积依次增大。所述显影能力的检验方法包括利用所述的光罩对晶圆进行光刻工艺，并观察所述晶圆上出现的光阻残留缺陷，以判断显影设备的显影能力。本发明的方法操作简单，避免了其他因素对显影能力的干扰，因此可靠性强。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种用于检验显影能力的光罩及显影能力的检验方法。

背景技术

随着半导体制造工艺的快速发展，半导体芯片的面积也越来越小，因此，半导体工艺的精度如何也就非常的重要。在半导体制造过程中，光刻(lithography)工艺是极为重要的，光刻是将光罩上的图案转移到晶圆上，因此，在半导体芯片小型化的情况下，光刻质量的高低，将直接影响着最终形成的芯片的性能。

通常的光刻过程是：在晶圆上涂敷光阻(PR)，然后利用所需的光罩对该晶圆进行曝光，之后通过显影液与曝光后的晶圆进行反应，获得所需的图案。光刻的显影过程极易受到外界因素的干扰，例如显影液流量变动，喷嘴位置异常以及杂质玷污等，会使得显影能力变差，尤其是在光阻较厚的情况下，例如光阻厚度大于4μm时，容易出现由于显影不良而导致的光阻残留缺陷。

目前，对于显影能力只是通过关键尺寸(CD)的量测来进行检验。其缺点在于：

1.量测点无法覆盖到晶圆的每个位置，因此，不能够百分百的确认检测的结果。

2.CD的变化还受其他因素(例如曝光能量、聚焦情况、烘烤情况等)影响，无法准确反映显影能力的变化。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种用于检验显影能力的光罩及显影能力的检验方法，改善现有技术中不能够有效的检验显影能力的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种用于检验显影能力的光罩，所述光罩包括多个曝光区，所述多个曝光区的面积依次增大。

可选的，对于所述的用于检验显影能力的光罩，所述曝光区的形状均为正方形。

可选的，对于所述的用于检验显影能力的光罩，所述多个曝光区的边长呈等差数列。

可选的，对于所述的用于检验显影能力的光罩，所述多个曝光区的边长均在10μm-100μm之间。

可选的，对于所述的用于检验显影能力的光罩，所述曝光区的数量为5-20个。

可选的，对于所述的用于检验显影能力的光罩，所述多个曝光区排列成一行或多行。

相应的，本发明提供一种显影能力的检验方法，包括：

提供一晶圆；

在所述晶圆上涂敷光阻；

利用所述的光罩对所述晶圆进行曝光；

对所述晶圆进行显影；以及

观察所述晶圆上出现的光阻残留缺陷，以判断显影能力。

可选的，对于所述的显影能力的检验方法，所述光阻的厚度大于等于4μm。

可选的，对于所述的显影能力的检验方法，通过观察所述晶圆的光阻残留缺陷开始出现的曝光区来判断显影能力。

可选的，对于所述的显影能力的检验方法，若所述光阻残留缺陷自越小的曝光区开始出现，则显影能力越弱；若所述光阻残留缺陷自越大的曝光区开始出现，则显影能力越强。

可选的，对于所述的显影能力的检验方法，通过显微镜观察所述晶圆上出现的光阻残留缺陷。

可选的，对于所述的显影能力的检验方法，通过检测整片晶圆的光阻残留缺陷来判断是否存在局部显影不良。